#對電的利用率達到百分百，不再有損耗之憂；

#輸電沒有電阻，遠距離傳輸也就不再需要高壓電；

#所有發電機和電路系統全部更新換代；

#高能加速器、容量更大的超級計算機更容易實現；

#醫院里面用的核磁成像裝置就將不需要用任何低溫制冷液體，使用價格非常便宜，更大程度地惠及人類；

#室溫超導體可以全面提升磁懸浮列車的安全性，會有成本更低、安全性能更高的磁懸浮列車投入運營……

• 2019年12月，7mΩ、650V新型SiC FET發布。7mΩ的低RDS(on)特性是當時業界最低值，從而使得在逆變器設計中可以實現超過99%的效率，高效率的實現也得益于其出色的反向恢復性能以及在續流模式下的低導通壓降。適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率DC/DC轉換器、大電流電池充電器和固態斷路器等高功率應用。

• 2020年2月，DFN 8×8小尺寸封裝下、業界最低34mΩ的SiC FET發布。通常情況下，要達到較低的RDS(on)，就需要增大FET的尺寸；因此，在緊湊的封裝尺寸下獲得較低的RDS(on)更具有挑戰性。650V SiC FET的UF3SC065030D8S采用DFN 8x8封裝，其RDS(on)為34mΩ，該產品在該電壓等級中具有最低的RDS(on)。

• 2021年9月，6mΩ、750V的TO-247-4L封裝系列SiC FET發布。該系列SiC FET器件最低RDS(on)為6mΩ，比業界同類產品的最低RDS(on)還低一半。該系列器件還能提供5uS的短路承受能力。

• 2022年7月，采用表貼D2PAK-7L 封裝的750V 9mΩ SiC FET發布。這種封裝熱阻小，能滿足需要高效率、低導通損耗的高功率應用的電源方案，適合快速增長的車載充電器、軟開關DC/DC轉換器、電池充電和IT/服務器電源等對效率要求高的應用場景。

• 2023年3月，采用 TOLL 封裝的 5.4 mΩ 750V SiC FET發布。這是750V SiC FET系列中首款采用TOLL封裝的產品。這些器件熱阻進一步減低、尺寸進一步緊湊化，適用于多種空間受限應用，例如功率在幾百瓦至幾千瓦的AC/DC電源、固態繼電器，以及電流高達100A及以上的固態斷路器。特別是工業應用，尤其那些需要可兼具靈活性和尺寸緊湊、高效率及高可靠性的大功率電源設計。