比亞迪半導體股份有限公司申請了“半導體功率器件的元胞結構及半導體功率器件”，申請公告日為10月17日，申請公告號為cn219842992u。

根據(jù)專利摘要，該實用新型公開了半導體電力配件的單元結構和半導體電力配件。上述細胞結構包括：第一導電類型的移動區(qū)域有相對設定的第一表面和第二表面。第二導電類型的第一混入?yún)^(qū)形成于漂流區(qū)的第一表面。第一導電型的源區(qū)是第二導電型的第一雜質區(qū)在遠離漂移區(qū)的表面形成。陰極金屬層在遠離發(fā)源地和漂移區(qū)的表面上形成。溝槽柵結構，溝槽柵結構自源區(qū)表面延伸到移動區(qū)。層間的介質層位于溝槽柵結構和陰極金屬層之間。陽極金屬層，陽極金屬層位于移動區(qū)域的第二個表面。另外，幾種第二道well區(qū)位于漂移區(qū)、溝槽柵結構的下方。