Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應用生產新型碳化硅(SiC)整流器模塊
Nexperia與KYOCERA AVX Components(薩爾茨堡)合作，為高頻電源應用生產新型碳化硅(SiC)整流器模塊。新型功率器件專為工業電源、電動汽車充電端子和車載充電器等應用而設計。此次發布將進一步深化兩家公司之間現有的長期合作伙伴關系。
下一代電源應用的制造商必須優先考慮最小化尺寸和重量。這種新型SiC整流器模塊的緊湊尺寸將有助于最大限度地提高功率密度，從而減少所需的電路板空間并降低整體系統成本。
通過頂部冷卻 (TSC) 和集成負溫度系數 (NTC) 傳感器的組合來優化熱性能，該傳感器可監控設備溫度并為設備或系統級預測和診斷提供實時反饋。該整流器模塊可在高達 175°C 的結溫下工作，并采用低電感封裝，便于高頻操作。
Nexperia表示，此次合作將尖端的碳化硅半導體與最先進的模塊封裝相結合，使公司能夠更好地滿足市場對功率密度極高的電力電子產品的需求。該整流器模塊的發布將是Nexperia和京瓷AVX設想的長期碳化硅合作伙伴關系的第一階段。
Nexperia預計新的SiC整流器模塊原型將于2024年第一季度上市。
審核編輯：彭菁
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
整流器
+關注
關注
28文章
1615瀏覽量
93258 -
高頻電源
+關注
關注
0文章
22瀏覽量
14866 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
3012瀏覽量
50047 -
Nexperia
+關注
關注
1文章
779瀏覽量
57601
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
國產SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性
國產SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導體一級代理傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(
國產SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器（APF）中的革新應用
傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET
34mm碳化硅（SiC）功率模塊應用在電力電子系統的推薦方案
34mm碳化硅（SiC）功率模塊應用在電力電子系統推薦方案 傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC
基本半導體碳化硅（SiC）MOSFET低關斷損耗（Eoff）特性的應用優勢
MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率
基于國產碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統解決方案
茜 微信&手機：13266663313 傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅
SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業
穩定性和高功率密度，解決了IGBT模塊在電鍍和高頻電源中的瓶頸問題。隨著技術成熟和成本下降，SiC將全面取代IGBT，推動電源行業向更高效、
博世碳化硅功率模塊生產基地落成
近日，博世汽車電子中國區（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產基地，并于2025年1月成功下線首批產品。這標志著博世在全球碳化硅
高頻感應電源國產SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比
傾佳電子楊茜以50KW高頻感應電源應用為例，分析BASiC基本股份國產SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動
高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比
傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應用為例，分析BASiC基本股份國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性
發表于 01-04 12:37
碳化硅SiC在電動車中的應用
碳化硅（SiC）在電動車中的應用主要集中在電力電子系統方面，以下是對其在電動車中具體應用的分析： 一、電動車充電設備 在電動車充電設備中，碳化硅主要用于充電機的整流器、直流/交流轉換
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統半導體對比
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導體材料，其制造工藝涉及多個復雜步驟，以下是對
碳化硅SiC在電子器件中的應用
隨著科技的不斷進步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統的硅（Si）材料在某些應用中已經接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領域。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙（WBG）半導體材料，
碳化硅SiC材料應用 碳化硅SiC的優勢與性能
碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體器件
工商網監
評論