華為技術有限公司最近增加了多項專利信息，其中之一是涉及光通信技術領域的“光芯片、光模塊及通信設備”，公開號碼為cn116841060a。

根據(jù)專利摘要，本申請?zhí)峁┫铝泄庑酒⒐饽K及通信設備，光芯片包括：硅波導層、氮化硅波導層、電光調(diào)制器和光電探測器。光電探測器包括鍺本征結構，以及位于鍺本征結構兩側的P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)；鍺本征結構、P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)集成于硅波導層內(nèi)。氮化硅波導層位于硅波導層背離半導體襯底的一側，電光調(diào)制器位于氮化硅波導層背離半導體襯底的一側。本申請實施例中的光芯片的集成度較高，將該光芯片應用于光模塊中，可以降低光模塊的尺寸、成本及功耗。

華為指出，隨著網(wǎng)絡技術的發(fā)展，人類對網(wǎng)絡帶寬的需求也在不斷激增。靈活光通信網(wǎng)的提出，相關技術的發(fā)展，光通信網(wǎng)集成度的提高等，都能有效地解決人們?nèi)找嬖鲩L的需求。隨著光通信系統(tǒng)集成度的不斷提高，光模塊正朝著超高速，小型化，低成本，低電力等方向發(fā)展。高速光電調(diào)制器和高速光電探測器在寬帶上寬帶/變換為光寬帶網(wǎng)絡的大容量為核心界面廣泛用于遠程通信系統(tǒng)管，光配件和芯片的形式是整個光模塊的速度、大小、費用及電力消耗減少的直接影響。但在相關技術中，由于光芯片的低集成度，無法縮小光模塊的大小，也無法再減少光模塊的電力消耗。因此華為推出的專利就是這個。