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5-100v電流倒灌和高邊開關的解決方案介紹

高邊開關 E-Fuse討論 ? 來源:高邊開關 E-Fuse討論 ? 作者:高邊開關 E-Fuse討論 ? 2023-09-19 14:24 ? 次閱讀

MX16171D100是無錫明芯微的一款耐壓100V的理想二極管,自適應驅動外部的NMOSFET,使得回路的壓降低于20mV,并且具有低于1us的反向快速關斷功能

MX5069是無錫明芯微的一款耐壓100V的高邊驅動器,產品集成了輸入過壓、欠壓、過流等保護功能;另外此款產品還具有軟起動功能尤其適合較大的容性負載以及電池欠壓充電的狀態;內置的PGOOD可以為SOC提供狀態指示

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在充電電流比較大的應用中,用戶往往使用多顆PMOSFET并聯使用作為高邊開關,成本較高,且體積較大。在此電路中MX5069配合NMOSFET不僅可以降低成本、縮小體積,而且可以實現多種保護功能。

而在防反電路中用戶往往使用肖特基并聯,不僅體積大、壓降大,而且由于肖特基壓降的負溫度特性導致并聯失衡,容易炸管。推薦用戶使用MX16171D100配合MOSFET可以完美解決上述肖特基帶來的問題。

MX5069除了應用于充電回路以外,在BMS的放電回路同樣適用,如果用戶為了實現負端地的連續性,往往使用高邊放電NMOSFET,如下圖所示

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當用戶系統電壓低于40V且充電電流小于5A時,可以選用無錫明芯微的單芯片集成方案MX26631DL,內部集成30mΩ的高邊NMOSFET用于開關,僅僅增加外部NMOSFET就可以實現防反的功能。MX26631同時集成了過壓、欠壓、過流及軟起動的功能,為用戶節約大量的開發周期及冗余電路。另外MX26631DL還可以為SOC提供當前的工作狀態以及報告當前的通路電流,實現系統工作狀態的全面監控。

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如果用戶目前開發的AFE充放電管理的驅動都可以實現,此時用戶只需要增加防反的理想二極管,可以選用無錫明芯微電子的MX5050T、MX16171D100或者MX5052S以及MX74610T等產品。

審核編輯:湯梓紅

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