美國KRi 離子源光通信應用, 助力5G技術發展
光通信的信息載體是光波,為了進一步提高光通信系統中光信號的傳輸質量,滿足光通信系統的使用要求,上海伯東美國 KRi 離子源通過離子束濺射, 輔助薄膜沉積等工藝在離子束鍍膜系統中實現光模塊, 光器件等薄膜元件的精密加工. 離子源典型應用例如, 在光纖連接面鍍 AR 增透膜 (減反射膜), 達到減少光纖對光的損耗, 增加光的透過率, 減少反射的工藝效果.
上海伯東美國 KRi 射頻離子源
與國產離子源對比, 上海伯東美國 KRi 射頻離子源主要特點
無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 單次工藝時間更長, 非常適用于復雜, 精密的多層薄膜制備
提供致密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜
遠離等離子體: 低基材溫度, 不需要偏壓襯底
濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
清潔, 低污染工藝
優良的反應沉積工藝, 沉積原子為堅硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
可控制的離子能量, 離子電流密度
KRi離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用
通常安裝兩個離子源
主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性氣體
基板遠離濺射目標
工藝壓力在小于× 10-4 torr
上海伯東美國 KRi 離子源 IBSD 濺射應用美國KRiRFICP射頻離子源技術參數
| 型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
| Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
| 離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
| 離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
| 柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
| 離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
| 流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
| 通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
| 典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
| 長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
| 直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
| 中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯東同時提供真空系統所需的渦輪分子泵,真空規,高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.
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