碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期，受到新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的推動(dòng)，碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線，。國(guó)內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競(jìng)爭(zhēng)。

Wolfspeed和羅姆早在2015、2016年左右就已經(jīng)發(fā)布了8英寸碳化硅產(chǎn)品。

日本半導(dǎo)體廠商羅姆預(yù)計(jì)將于2023年開始量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。

德國(guó)功率半導(dǎo)體廠商英飛凌計(jì)劃在2023年開始量產(chǎn)8英寸襯底，2025年量產(chǎn)8英寸碳化硅器件。

2020年，天岳先進(jìn)啟動(dòng)8英寸碳化硅襯底的研發(fā)，此后曾宣布成功研發(fā)了8英寸碳化硅襯底，但目前其8英寸產(chǎn)品尚未達(dá)到量產(chǎn)程度。

今年5月，天岳先進(jìn)、天科合達(dá)簽約英飛凌，供貨碳化硅6英寸襯底、合作制備8英寸襯底，6月三安光電與意法半導(dǎo)體結(jié)盟升級(jí)，斥資32億美元共建8英寸碳化硅外延。

2022年1月，爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)。

國(guó)內(nèi)天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司已與國(guó)際巨頭英飛凌和意法半導(dǎo)體達(dá)成合作，共同推進(jìn)8英寸碳化硅襯底的制備和外延生長(zhǎng)。然而，雖然已有部分企業(yè)成功研發(fā)出8英寸碳化硅襯底，但量產(chǎn)尚未達(dá)到規(guī)模。

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的預(yù)測(cè)，2021年至2027年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望保持年均34%的復(fù)合增速，從10.9億美元增長(zhǎng)至62.97億美元。其中，車規(guī)級(jí)市場(chǎng)是碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域，預(yù)計(jì)從2021年的6.85億美元增長(zhǎng)至2027年的49.86億美元。在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求的推動(dòng)下，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速發(fā)展期，碳化硅襯底供不應(yīng)求。作為功率元器件中成本占比最大、品質(zhì)關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，碳化硅襯底也成為國(guó)際巨頭布局碳化硅產(chǎn)業(yè)的重要戰(zhàn)略。

碳化硅8英寸和12英寸區(qū)別

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一種廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和電力電子領(lǐng)域的材料。在碳化硅晶圓制備過程中，晶圓的直徑可以有不同的尺寸，如8英寸和12英寸。

主要區(qū)別如下：

直徑：8英寸和12英寸分別指的是碳化硅晶圓的直徑。8英寸晶圓直徑約為200毫米，而12英寸晶圓直徑約為300毫米。

面積：由于直徑不同，8英寸和12英寸碳化硅晶圓的表面積存在差異。12英寸晶圓的表面積比8英寸晶圓大，因此能提供更多的制造空間，可以容納更多的芯片或器件。

生產(chǎn)難度和成本：由于尺寸較大，12英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)相對(duì)更具挑戰(zhàn)性，制備技術(shù)和設(shè)備要求更高。與之相比，8英寸晶圓的生產(chǎn)難度較小，制備成本也相對(duì)較低。

應(yīng)用范圍：8英寸和12英寸碳化硅晶圓在不同的應(yīng)用領(lǐng)域具有不同的用途。較小尺寸的8英寸晶圓通常用于低功耗和高溫應(yīng)用，例如電力電子和汽車行業(yè)。而較大尺寸的12英寸晶圓則更適合用于高功率和高頻率應(yīng)用，如通信設(shè)備和射頻功放器件。

具體應(yīng)用情況還受到制造工藝、產(chǎn)品需求和市場(chǎng)趨勢(shì)的影響。

編輯：黃飛