7月11日，據“中國光谷”微信公眾號消息，華工科技近期制造出了我國首臺核心部件100%國產化的高端晶圓激光切割設備。

據華工激光半導體產品總監黃偉介紹，半導體晶圓屬于硬脆材料，在一個12英寸的晶圓上有數千顆甚至數萬顆芯片，晶圓切割和芯片分離無論采取機械或激光方式，都會因物質接觸和高速運動而產生熱影響和崩邊，從而影響芯片性能，因此，控制熱影響的擴散范圍和崩邊尺寸是關鍵。

而機械切割的熱影響和崩邊寬度約20微米，傳統激光在10微米左右；此外，切割線寬的減少，意味著晶圓能做到更高的集成度，從而使得半導體制造更經濟、更有效率。

自去年以來，黃偉團隊對半導體晶圓切割技術，展開微納米級激光加工的迭代升級、攻堅突破，“最忙時團隊20多人兩班倒輪流做測試實驗和產品優化，設備24小時不停。”

經過一年努力，華工科技制的半導體晶圓切割技術成功實現升級，熱影響降為0，崩邊尺寸降至5微米以內，切割線寬可做到10微米以內。成為了我國首臺核心部件100%國產化的高端晶圓激光切割設備，在半導體激光設備領域攻克多項中國第一。

按照生產一代、研發一代、儲備一代的理念，華工激光正在研發具備行業領先水平的第三代半導體晶圓激光改質切割設備，計劃今年7月推出新產品，同時也正在開發我國自主知識產權的第三代半導體晶圓激光退火設備。

資料顯示，華工科技成立于1999年，擁有20000多平米的研發、中試基地，在海外設有3個研發中心，與華中科技大學共建有激光加工國家工程研究中心、國家防偽工程研究中心、敏感陶瓷國家重點實驗室。通過產學研用紐帶，華工科技牽頭制定國家“863”計劃項目、國家科技支撐計劃項目、十三五國家重大科技計劃專項等50余項，牽頭制定中國激光行業首個國際標準，獲得國家科技進步獎3項。

審核編輯：劉清