女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

“融合時代”即將來臨?手機(jī)內(nèi)置氮化鎵有哪些優(yōu)勢

海明觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:李誠 ? 2023-07-12 00:19 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)氮化鎵作為第三代功率半導(dǎo)體,因其寬帶隙和高熱導(dǎo)率等特點,在電源射頻領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,近年來也逐漸開始進(jìn)入消費類市場,成為手機(jī)領(lǐng)域中的重要革新材料,為手機(jī)的性能提升和創(chuàng)新提供了強(qiáng)有力的支持。

氮化鎵在手機(jī)端的應(yīng)用

在過去的幾年中,由于成本的限制,氮化鎵在消費類市場的應(yīng)用一直處于探索階段。然而,隨著技術(shù)的成熟和整個產(chǎn)業(yè)鏈的不斷完善,上游企業(yè)頻繁擴(kuò)大產(chǎn)能,使得氮化鎵的成本逐漸下降。這一趨勢也為氮化鎵在消費類市場的應(yīng)用創(chuàng)造了重要的突破口,同時在氮化鎵快充技術(shù)的推動下,氮化鎵充電器成為了消費者最早接觸到的氮化鎵產(chǎn)品。

隨著氮化鎵成本的進(jìn)一步下探和技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新,如今氮化鎵應(yīng)用已不再局限于手機(jī)外設(shè),開始向手機(jī)內(nèi)部轉(zhuǎn)移。

不論是4G還是5G時代,手機(jī)續(xù)航一直以來都是各大手機(jī)廠商攻克的重點。當(dāng)然,通過增大電池能量密度和容量來提高手機(jī)續(xù)航是最直觀且行之有效的方法,但面對手機(jī)內(nèi)部有限的空間,電池體積不能無休止地增大。因此,手機(jī)快充技術(shù)得以快速普及。

當(dāng)其它廠商還在以標(biāo)配快充充電器解決手機(jī)續(xù)航問題時,OPPO、Realme、摩托羅拉等手機(jī)廠商已經(jīng)開始從手機(jī)內(nèi)部著手,并將氮化鎵芯片成功導(dǎo)入手機(jī)內(nèi)部,推出OPPO Reno 10、Realm GT2大師探索版、摩托羅拉Edge 40三款已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)的機(jī)型。

據(jù)了解,OPPO、Realme、摩托羅拉三家手機(jī)廠商在手機(jī)端應(yīng)用的氮化鎵芯片,均來自國內(nèi)芯片廠商英諾賽科。其中,摩托羅拉Edge 40和OPPO Reno 10采用的是內(nèi)置VGaN的40V低壓氮化鎵芯片INN040W048A。Realm GT2大師探索版采用的是英諾賽科Bi-GaN系列芯片INN40W08。

從官方提供的資料顯示,這些氮化鎵芯片的導(dǎo)入主要是用于替代傳統(tǒng)的硅基MOS,利用氮化鎵MOS開關(guān)頻率高、低導(dǎo)通阻抗的特性,降低手機(jī)在充、放電過程中的導(dǎo)通損耗,減少熱量堆積,以順應(yīng)大功率快充技術(shù)在手機(jī)端應(yīng)用的發(fā)展,變相提高手機(jī)快充的峰值充電維持時間,增強(qiáng)手機(jī)續(xù)航。

以上是目前實現(xiàn)量產(chǎn)的手機(jī)端氮化鎵應(yīng)用,從氮化鎵的高擊穿電場、高飽和速度特性來看,氮化鎵可作為手機(jī)射頻器件的理想材料。使用氮化鎵材料制造的射頻器件能夠提供更高的工作頻率、更低的噪聲和更好的線性度,從而顯著提升手機(jī)的通信和數(shù)據(jù)傳輸性能。

砷化鎵為何未能取代氮化鎵

相比常用的砷化鎵,在射頻領(lǐng)域中,氮化鎵具有更高的瞬時帶寬,這也意味著能夠以更少的器件數(shù)量實現(xiàn)全波段和頻道的覆蓋。隨著通訊頻段向高頻的不斷遷移,基站和通信設(shè)備需要更高性能的放大器作為支持,氮化鎵器件相比金屬氧化物半導(dǎo)體和砷化鎵的優(yōu)勢也會更為明顯。

然而,目前主流的氮化鎵射頻器件通常采用價格較高的碳化硅材料作為襯底。雖然碳化硅具有高導(dǎo)熱性和氮化鎵在高頻段下的大功率射頻輸出優(yōu)勢,能夠更好地滿足5G應(yīng)用需求,但隨著手機(jī)從4G向5G頻段的轉(zhuǎn)變,射頻功率放大器的數(shù)量也在增加。

受制于氮化鎵射頻器件的成本影響,目前大多數(shù)手機(jī)仍選擇采用砷化鎵作為原材料,以實現(xiàn)成本與性能之間的平衡。這也是為什么氮化鎵在手機(jī)射頻領(lǐng)域尚未普及的原因之一。當(dāng)然,隨著技術(shù)的發(fā)展和成本的下降,氮化鎵射頻器件在手機(jī)領(lǐng)域應(yīng)用的前景仍然值得期待。

結(jié)語

基于氮化鎵卓越的電氣特性,除了在充電和射頻方面應(yīng)用外,氮化鎵還具有廣泛的應(yīng)用潛力,例如功率放大器、芯片設(shè)計、顯示技術(shù)等領(lǐng)域。利用氮化鎵的優(yōu)勢,手機(jī)制造商能夠開發(fā)出更高效、穩(wěn)定的電源系統(tǒng),從而實現(xiàn)更持久的續(xù)航表現(xiàn)。

此外,氮化鎵材料的高熱導(dǎo)率和優(yōu)異的功率處理能力,也為手機(jī)功率器件的設(shè)計提供了新的可能,使得手機(jī)可以實現(xiàn)更低功耗、更高效率的能量轉(zhuǎn)換。

隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展與成熟,相信不久的未來將會看到氮化鎵在手機(jī)行業(yè)的廣泛應(yīng)用。將氮化鎵融入手機(jī)將成為推動整個手機(jī)產(chǎn)業(yè)向前邁進(jìn)的重要動力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    1794

    瀏覽量

    118016
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    氮化器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢

    氮化(GaN)器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率,主要歸功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
    的頭像 發(fā)表于 06-13 14:25 ?664次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件在高頻應(yīng)用中的<b class='flag-5'>優(yōu)勢</b>

    氮化電源IC U8765產(chǎn)品概述

    氮化憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢,但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計。今天就給小伙伴們推
    的頭像 發(fā)表于 04-29 18:12 ?311次閱讀

    330W氮化方案,可過EMC

    氮化
    深圳市三佛科技
    發(fā)布于 :2025年04月01日 11:31:39

    CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC

    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化(GaN)FET是常關(guān)器件
    發(fā)表于 03-31 14:26

    氮化(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?1090次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

    器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
    的頭像 發(fā)表于 02-26 04:26 ?547次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱材料大幅度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

    氮化充電器和普通充電器啥區(qū)別?

    相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化(GaN)”,這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化快充充電器之后
    發(fā)表于 01-15 16:41

    氮化簡介及其應(yīng)用場景

    氮化(Gallium Nitride,簡稱GaN)作為最新一代的半導(dǎo)體材料,近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨特的優(yōu)勢,使其成為實現(xiàn)高效電力轉(zhuǎn)換的重要選擇。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 17:06 ?3396次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>簡介及其應(yīng)用場景

    供應(yīng)SW1108P集成氮化直驅(qū)的高頻準(zhǔn)諧振IC

    概述 SW1108P 是一款針對離線式反激變換器的高性能高集成度準(zhǔn)諧振電流模式 PWM 控制器。 SW1108P 內(nèi)置 6V 的驅(qū)動電壓,可直接用于驅(qū)動氮化功率管;芯片工作于帶谷底鎖定功能 的谷底
    發(fā)表于 11-04 09:00

    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化功率器件的耐高壓測試

    氮化(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:23 ?1036次閱讀
    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率器件的耐高壓測試

    氮化晶圓在劃切過程中如何避免崩邊

    半導(dǎo)體市場的發(fā)展。氮化和硅的制造工藝非常相似,12英寸氮化技術(shù)發(fā)展的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備。全面規(guī)模化量產(chǎn)12英
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?1580次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>晶圓在劃切過程中如何避免崩邊

    氮化和砷化哪個先進(jìn)

    景和技術(shù)需求。 氮化(GaN)的優(yōu)勢 高頻與高效率 :氮化具有高電子遷移率和低電阻率,使得它在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如,在5G通
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:37 ?5368次閱讀

    氮化和碳化硅哪個優(yōu)勢

    氮化(GaN)和碳化硅(SiC)都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,它們各自具有獨特的優(yōu)勢,應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對兩者優(yōu)勢的比較: 氮化
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:26 ?3276次閱讀

    芯干線科技CEO說氮化

    氮化是一種由氮和結(jié)合而來的化合物,其中氮在元素周期表排序第7位,排序第31位,7月31日世界氮化
    的頭像 發(fā)表于 08-21 10:03 ?1072次閱讀

    華燦光電在氮化領(lǐng)域的進(jìn)展概述

    7月31日,是世界氮化日。在這個充滿探索與突破的時代氮化憑借其卓越的特質(zhì)和廣袤的應(yīng)用維度,化作科技領(lǐng)域的一顆冉冉升起的新星。
    的頭像 發(fā)表于 08-01 11:52 ?1604次閱讀