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當碳化硅遇見新能源:瞻芯電子邀您共同探索高效能源轉換技術邊界

瞻芯電子 ? 來源:瞻芯電子 ? 2023-07-10 10:26 ? 次閱讀

7月11日-13日,瞻芯電子將亮相慕尼黑上海電子展,并展示全系列碳化硅功率半導體和芯片產品。我們將重點圍繞新能源汽車應用、光伏與儲能、充電樁領域,展示適用的碳化硅(SiC)MOSFET、碳化硅(SiC)二極管功率模塊,以及驅動芯片和參考設計方案。

我們誠摯地邀請各界朋友們蒞臨參觀,期待與您共同交流探討更高效、更緊湊、更可靠的能源轉換應用方案,共同推動產業創新與發展。

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展會信息

日期:2023年7月11-13日 展館:上海國家會展中心,7.2H展館C210 參觀時間:9:00-17:00

產品概覽

瞻芯電子已開發量產了650V-1700V平臺的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二極管及功率模塊產品,規格參數齊全,且有多種貼片、插件、模塊封裝。同時,我們還圍繞碳化硅(SiC)應用,開發了多種系列柵極驅動芯片,包括SiC專用驅動、通用驅動、隔離型驅動。此外,瞻芯電子首創了一系列CCM模擬控制芯片

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參考設計方案

1、20kW充電樁模塊

該方案采用嶄新架構:電流源PFC+DC-X,利用電池作為超級電容,以減少了PFC輸出電容,再通過切換LLC級變壓器匝數比,使DC-X在最佳效率點運行,讓器件開關頻率提高了2-3倍,增加了系統功率密度、可靠性。

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2、2.5kW 圖騰柱PFC電源

該方案采用簡單高效率的無橋功率因數校正電路,適用于鈦金級AC/DC交直流變換器設計。因采用CCM模擬控制芯片,而實現快速、精確、可靠的模擬控制,無需編程,節約開發時間和成本,從而快速開發并推向市場。該方案額定功率為2.5kW,效率高達99%。拓撲圖如下:

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本方案中控制芯片為瞻芯電子開發圖騰柱模擬控制芯片IVCC1102,Q1 和Q2 是高頻臂SiC MOSFET,采用了650V 60mΩ SiC MOSFET(IV1Q06060T4),高頻臂的兩顆驅動芯片為SiC 專用·比鄰驅動TMIVCR1401。Q3 和Q4 是低頻臂Si MOSFET。

延申閱讀:瞻芯電子CCM圖騰柱PFC模擬控制IC獲“中國電源學會科學技術獎”

3、11kW三相橋電機驅動方案

該方案為車載空壓機驅動而設計,功率高達11kW,下橋共用一組驅動電源,上橋自舉供電,同時采用開爾文柵極接法,避免了驅動回路與功率回路耦合,因而方案具備高頻率、高效率、高功率密度等特點。該方案所采用三相塑封模塊與比鄰驅動TM芯片,也適用于車載充電機(OBC)。

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核心元器件簡介:IVTM12080TA1Z:三相橋塑封功率模塊:1200V SiC MOSFET inside(車規級設計)采用氮化鋁陶瓷基板,散熱性能好。IVCR1401:SiC 專用·比鄰驅動TM芯片,采用8pin緊湊封裝,且集成了負壓驅動、UVLO與故障警報,退飽和保護與內置消隱、負壓電源等功能。4、200W反激電源該方案是一款反激式輔助電源,可適應300V-1000V的超寬范圍供電工作,輸出24Vdc,使用方便靈活,峰值效率可達90%+,適用于多種場景的輔助電源、開關電源,能提高高功率密度,簡化電路設計。該方案中核心器件為車規級TO263-7封裝的1700V SiC MOSFET產品。

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原文標題:當碳化硅遇見新能源:瞻芯電子邀您共同探索高效能源轉換技術邊界

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