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Zynq UltraScale+PS MIO可能在上電期間出現(xiàn)高位毛刺

jf_pJlTbmA9 ? 來(lái)源:AMD Xilinx開(kāi)發(fā)者社區(qū) ? 作者:AMD Xilinx開(kāi)發(fā)者社區(qū) ? 2023-07-10 16:47 ? 次閱讀

如果發(fā)生此問(wèn)題,則表明當(dāng) VCCO_PSMIO 電源緩升至 0.4V - 0.5V 時(shí),已觀測(cè)到 MIO 開(kāi)始驅(qū)動(dòng)至高位,并持續(xù)直至 VCCO_PSMIO 到達(dá) 0.6V - 1.4V,隨后 MIO 返回至高阻抗?fàn)顟B(tài)。

在特定器件或特定 MIO 上無(wú)法判定實(shí)際是否發(fā)生此問(wèn)題,實(shí)際輸出的毛刺配置可能取決于器件/MIO、溫度以及 VCCO_PSMIO 電源緩升配置。請(qǐng)參閱以下黃色波形中所示的 MIO 毛刺示例,其中藍(lán)色波形表示 VCCO_PSMIO 緩升示例。

沒(méi)有任何設(shè)置也沒(méi)有任何合理的外部下拉能夠?qū)@種輸出毛刺加以控制/克服。

100570650-301161-shezhi.jpg

圖 1:Ch3(blue)=VCCO_PSIO 和 Ch4(red)=MIO,其中外部 2.2kohm 下拉至接地 (GND)

受影響的配置:

此問(wèn)題會(huì)影響上電期間拉低或驅(qū)動(dòng)至低電平的 PS MIO。所有 Zynq UltraScale+ MPSoC 器件和 Zynq UltraScale+ RFSoC 器件中的 PS MIO 都可能會(huì)出現(xiàn)此問(wèn)題。無(wú)法判定此問(wèn)題的出現(xiàn)條件。

在某一份調(diào)研中,約 ~75% 的器件出現(xiàn)了此問(wèn)題,在受影響的器件中,有 10-33% 的 MIO 上發(fā)生了此問(wèn)題,因不同器件和條件而異。

按如下推薦的上電順序執(zhí)行 VCCO_PSMIO 緩升期間,可能發(fā)生此問(wèn)題:VCC_PSINT* 緩升,然后 VCC_PSAUX 緩升,最后 VCCO_PSIO 緩升。其它上電順序可能因內(nèi)部控制邏輯值不確定而引發(fā)其它種類(lèi)的毛刺。

注釋?zhuān)簭南嗤?1.8V 電源為 VCC_PSAUX 和 VCCO_PSIO 供電時(shí),不會(huì)發(fā)生此毛刺。

影響:MIO 毛刺可能引發(fā)信號(hào)爭(zhēng)用(包括總線信號(hào)),或者導(dǎo)致其它器件從連接的 Zynq UltraScale+ PS MIO 中檢測(cè)到暫時(shí)性的高電平。

解決方法:

可使用 PS_POR_B 信號(hào)作為變通方法。

由于上電順序期間發(fā)生 PS MIO 毛刺,并且由于 Zynq UltraScale+ 要求 PS_POR_B 輸入信號(hào)保持低位來(lái)完成上電順序,因此,可利用 PS_POR_B 信號(hào)作為此問(wèn)題的變通方法。

例如:
使用 PS_POR_B 來(lái)禁用其它已連接的器件或者使此類(lèi)器件保持處于復(fù)位狀態(tài),這樣即可避免其它器件對(duì)潛在的 PS MIO 毛刺作出任何響應(yīng)。

使用具有外部電路的 PS_POR_B 來(lái)對(duì) PS MIO 邏輯信號(hào)進(jìn)行門(mén)控,防止可能出現(xiàn)的毛刺對(duì)敏感的總線或器件輸入產(chǎn)生影響。

常見(jiàn)問(wèn)題解答:
問(wèn):此問(wèn)題在 1.8V PS MIO 和 3.3V PS MIO 上是否出現(xiàn)?
答:是的。當(dāng) VCCO_PSIO 在 ~0.4V - ~1.4V 范圍內(nèi)時(shí)會(huì)出現(xiàn)毛刺,對(duì)于最終工作電壓為 1.8V 和 3.3V 的 PS MIO,上電期間會(huì)出現(xiàn)此狀況。但如果 VCCO_PSIO 與 VCC_PSAUX 都從同一個(gè) 1.8V 電源供電,則不會(huì)出現(xiàn) PS MIO 毛刺。

問(wèn):此問(wèn)題是否影響器件/管腳可靠性?
答:不影響。I/O 已基于產(chǎn)品生命周期經(jīng)過(guò)了 EM 和老化驗(yàn)證。生命周期驗(yàn)證條件較毛刺風(fēng)險(xiǎn)/條件更嚴(yán)格。

問(wèn):如果 PS MIO 驅(qū)動(dòng)至或者拉高至 VCCO_PSIO,是否會(huì)出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)至低電平毛刺?
答:不會(huì)。

問(wèn):驅(qū)動(dòng)至高位毛刺的等效串聯(lián)電阻是什么?
答:毛刺從 VCCO_PSIO 軌驅(qū)動(dòng)時(shí),等效串聯(lián)電阻為 50 ohms(從仿真樣本測(cè)量所得)。

文章來(lái)源:AMD Xilinx開(kāi)發(fā)者社區(qū)

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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