為了保護(hù)環(huán)境，降低功耗已成為全球面臨的重大挑戰(zhàn)，正因如此，變頻器日益廣泛用于各類型設(shè)備。借助變頻器提高能效是重要目標(biāo)。要求大電流和高功率的應(yīng)用中通常使用硅（Si）IGBT，因為在大電流條件下，IGBT的飽和電壓低于MOSFET。然而，IGBT在關(guān)斷過程中的拖尾電流導(dǎo)致?lián)p耗增加，限制了其在高速開關(guān)中的應(yīng)用。

基于CoolSiC? MOSFET的技術(shù)，CIPOS? Maxi IPM IM828系列推出全球首款采用壓鑄模封裝的1200 V碳化硅IPM，集成了一個優(yōu)化的6通道1200V SOI柵極驅(qū)動器和6個CoolSiC? MOSFET。作為最小巧、最緊湊的1200V等級封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡便，因為其嵌入式SOI柵極驅(qū)動IC經(jīng)專門優(yōu)化，可減小開關(guān)振蕩。此外，它采用緊湊式封裝，得益于使用具備很高熱導(dǎo)率的DBC基板，IM828-XCC提供的額定功率超過4.8 kW，具有出色的功率密度、可靠性和性能。它針對工業(yè)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如供暖通風(fēng)空調(diào)（HVAC），風(fēng)扇電機(jī)，泵和電機(jī)驅(qū)動器的功率因數(shù)校正。采用先進(jìn)的電機(jī)控制引擎 （MCE），無需任何編碼即可實現(xiàn)最先進(jìn)的無傳感器磁場定向控制 （FOC）。

產(chǎn)品規(guī)格：EVAL-M1-IM828-A
相關(guān)器件：IM828-XCC，IMBF170R1K0M1，ICE5QSAG和IFX25001ME V33

?場景應(yīng)用圖

?產(chǎn)品實體圖

?展示板照片

?方案方塊圖

?核心技術(shù)優(yōu)勢

? 1200V 絕緣體上硅(SOI) 門極驅(qū)動IC
? 集成自舉功能

? 過電流保護(hù)

? 全通道欠壓鎖定保護(hù)

? 觸發(fā)保護(hù)時六個開關(guān)器件全部關(guān)閉

? 內(nèi)置死區(qū)時間，防止直通短路

? 獨(dú)立的熱敏電阻用于過溫保護(hù)

? 當(dāng)VBS=15V時，允許負(fù)VS電勢達(dá)到-11V

? 獨(dú)立的熱敏電阻用于過溫保護(hù)

? 三相橋低端開路，適用于單/三電阻相電流采樣

? 故障清除時間可調(diào)

? 節(jié)約系統(tǒng)成本，設(shè)計簡單

? 投入市場周期短

?方案規(guī)格

? 輸入電壓: 380~480VAC

? 4.8kW電機(jī)功率輸出

? 輸出電流: 15A/19A (低速）

? EMI濾波器

? 默認(rèn)配置單相分流電流傳感

? 直流母線電壓檢測

? 故障診斷輸出