紅外探測(cè)器是紅外熱成像儀的核心器件，是探測(cè)、識(shí)別和分析物體的關(guān)鍵。紅外探測(cè)器的分類有多種形式，按工作原理劃分為紅外探測(cè)器可分為熱探測(cè)器和光子探測(cè)器。

熱探測(cè)器是紅外探測(cè)器在接受紅外輻射信號(hào)后，溫度升高引起探測(cè)器材料溫度變化產(chǎn)生電信號(hào)。熱探測(cè)器的探測(cè)率一般比光子探測(cè)器低，紅外器件反應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)，通常為毫秒級(jí)；加熱過程讓熱探測(cè)器對(duì)紅外輻射的各波長(zhǎng)基本上為相同的響應(yīng)率，它的光譜曲線是平坦的，有時(shí)也被稱為“無選擇性紅外探測(cè)器”。

熱探測(cè)器可以分為微測(cè)輻射熱計(jì)、熱電偶熱電堆和熱釋電：

微測(cè)輻射熱計(jì)的材料目前主要是氧化釩（VOx）和非晶硅（a-Si）。

VOx和a-Si的相同點(diǎn)：

生產(chǎn)工藝相同：微測(cè)輻射熱計(jì)技術(shù)與CMOS工藝兼容，能夠與CMOS讀出電路單片集成，可基于半導(dǎo)體制造工藝大規(guī)模生產(chǎn)。

薄膜種類相同，氧化釩薄膜與非晶硅薄膜都是半導(dǎo)體熱敏薄膜（紅外熱敏薄膜），薄膜TCR（電阻溫度系數(shù)）與電阻率都成正比關(guān)系（薄膜TCR和電阻率都與薄膜生長(zhǎng)條件緊密相連，生長(zhǎng)條件直接決定了薄膜的缺陷密度、晶粒大小、表面粗糙度等屬性）。

VOx和a-Si的不同點(diǎn)：

技術(shù)積累時(shí)間：1978年VOx材料制作微測(cè)輻射熱計(jì)取得了突破性進(jìn)展，a-Si晚了10年，VOx紅外探測(cè)器的性能，技術(shù)更加成熟。

薄膜性能指標(biāo)：VOx材料TCR優(yōu)于a-Si，同樣TCR條件下，非晶硅的1/f（噪聲系數(shù)）顯著高于VOx材料，可以理解為VOx紅外探測(cè)器的成像質(zhì)量更好。

器件技術(shù)指標(biāo)：VOx材料對(duì)于紅外光線的光電轉(zhuǎn)換效率更高，測(cè)量溫度穩(wěn)定性好，探測(cè)器的熱靈敏度能達(dá)到30mK，a-Si紅外探測(cè)器的靈敏度通常在50mK左右。

氧化釩的電阻溫度系數(shù)較高，隨著溫度變化電阻變化大，是目前的主流材料，但是氧化釩材料不能與標(biāo)準(zhǔn)硅圓集成電路工藝相兼容。非晶硅材料也由于是無定形結(jié)構(gòu)，所以呈現(xiàn)的電流噪聲比氧化釩大，所以NETD相對(duì)較差，表現(xiàn)為圖像有蒙砂感。