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IRFH7085TRPBF N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon

深圳市國宇航芯科技有限公司 ? 2021-12-07 13:47 ? 次閱讀

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IRFH7085TRPBF產品詳細信息

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰問題。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統效率。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。

產品技術參數

屬性數值
通道類型N
最大連續漏極電流147 A
最大漏源電壓60 V
封裝類型PQFN
安裝類型表面貼裝
引腳數目8
最大漏源電阻3.2 mΩ
通道模式增強
最大柵閾值電壓3.7V
最小柵閾值電壓2.1V
最大功率耗散156 W
晶體管配置
最大柵源電壓-20 V、+20 V
每片芯片元件數目1
典型柵極電荷@Vgs110 nC @ 10 V
長度6.15mm
最高工作溫度+150 °C
正向二極管電壓1.2V
最低工作溫度-55 °C
系列HEXFET
寬度5.15mm
晶體管材料Si
高度0.85mm
pYYBAGGd4kCANdYUAAKdrgS4Zgw778.png
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