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IRFH7085TRPBF產品詳細信息
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon
Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰問題。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統效率。
MOSFET 晶體管,Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
產品技術參數
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 147 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | PQFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 3.2 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.7V |
最小柵閾值電壓 | 2.1V |
最大功率耗散 | 156 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 110 nC @ 10 V |
長度 | 6.15mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
正向二極管電壓 | 1.2V |
最低工作溫度 | -55 °C |
系列 | HEXFET |
寬度 | 5.15mm |
晶體管材料 | Si |
高度 | 0.85mm |

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