光伏與儲能是能源電力系統實現能量轉換、存儲利用的有效途徑,在推動碳達峰碳中和方面發揮顯著作用,碳化硅憑借導通電阻低開關損耗小的優勢,可有效助力光伏與儲能系統,節約能源,推薦使用國產基本半導體芯片第二代碳化硅MOSFET系列器件用于光儲一體機,將會比上一代器件在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面性能更加出色。
碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強度,更低的損耗和更高的熱導率。這些特性意味著碳化硅器件可以用在高電壓、高開關頻率、高功率密度的場合,基本半導體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H器件Qg降低了約60%,開關損耗降低了約30%;反向傳輸電容Crss降低,能提高器件的抗干擾能力,降低器件在串擾行為下誤導通的風險。
且B2M065120H具有更低的比導通電阻,通過綜合優化芯片設計方案,比導通電阻降低約40%,產品性能顯著提升,且具有非常低的開關損耗。基本半導體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發和生產,目前已掌握碳化硅芯片設計、晶圓制造、模塊封裝、驅動應用等核心技術,申請兩百余項發明專利,產品性能達到國際先進水平。
B2M065120H性能參數:
? RDS (on):65mΩ;
? Voltage:1200V;
? 最高工作結溫:175°C;
? 封裝:T0-247-3、T0-247-4、T0-263-7;
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:第二代碳化硅MOSFET B2M065120H助力光儲一體機,比導通電阻降低約40%
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