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      半導體激光器面向VCSEL的干法工藝流程解析

      jt_rfid5 ? 來源：半導體封裝工程師之家 ? 2023-06-03 14:22 ? 次閱讀

      作為自動駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術的光源，半導體激光器的市場變得活躍起來。其中之一是具有小型化、節能等優點的VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），下面介紹面向VCSEL的干法工藝。

      VCSEL制造工藝

      1. 外延生長

      在GaAs（砷化鎵）襯底上，通過分子束外延生長由

      多個周期的AlGaAs（砷化鋁鎵）/GaAs層堆疊在一起的

      AlGaAs/GaAs系DBR（分布反射型Distributed

      Bragg Reflector）。

      2. Patterning＆Mask形成

      為了將外延層做成被稱為 Mesa 的圓柱形，制作一個掩模圖案。

      3. Mesa加工

      用干法蝕刻進行Mesa加工。

      4. 氧化狹窄＆保護膜形成

      活性層附近設計的特定AlGaAs層通過濕法氧化而氧化狹窄

      （氧化狹窄層作為電流和光的封閉結構，

      成為影響VCSEL特性的非常重要的層）。另外，沉積Mesa側壁保護膜。

      5. 電極形成

      n型、p型電極形成。

      編輯：黃飛

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。 舉報投訴
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      原文標題：【半導光電】VCSEL制造工藝全流程

      文章出處：【微信號：今日光電，微信公眾號：今日光電】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。

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