***、刻蝕機(jī)對(duì)造芯片的重要性已不言而喻，但若沒(méi)有質(zhì)量控制設(shè)備，同樣無(wú)法造芯。就像醫(yī)療領(lǐng)域的CT、彩超、生化分析儀等輔助檢測(cè)身體狀況的設(shè)備一樣，半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備也是給芯片“體檢”的工具，統(tǒng)稱半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備。

今年5月19日，中科飛測(cè)科創(chuàng)板上市，其主要業(yè)務(wù)便是國(guó)產(chǎn)化率只有2%的半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備[1]，上市首日較發(fā)行價(jià)漲189.62%的成績(jī)，預(yù)示著半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備將不再是隱形賽道。

本文中，你將了解到：半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備概念具體指代什么，半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備國(guó)內(nèi)外整體發(fā)展情況，國(guó)產(chǎn)設(shè)備商的出路。

易于混淆的概念

半導(dǎo)體檢測(cè)作為半導(dǎo)體質(zhì)量控制較為廣義的表達(dá)方式，業(yè)內(nèi)指稱較為混亂。嚴(yán)格意義上，半導(dǎo)體質(zhì)量控制分為檢測(cè)、量測(cè)、測(cè)試三種工藝，所指代的技術(shù)也有所不同：

檢測(cè)（Inspection）：指對(duì)晶圓表面或電路的特征性結(jié)構(gòu)缺陷進(jìn)行檢測(cè)，防止影響芯片成品的工藝性能，比如顆粒污染、表面劃傷、開(kāi)短路等；

量測(cè)（Metrology）：指對(duì)晶圓電路的結(jié)構(gòu)尺寸和材料特性做出量化描述，如薄膜厚度、關(guān)鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等；

測(cè)試（Test）：指對(duì)已制造完成的半導(dǎo)體元件進(jìn)行性能確認(rèn)，是一種電性、功能性的檢測(cè)。[2]

對(duì)應(yīng)上述三種工藝的設(shè)備，分別稱為半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備、半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備、半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。另外，除工藝制程的檢測(cè)設(shè)備外，設(shè)計(jì)驗(yàn)證階段也存在第三方檢測(cè)公司進(jìn)行芯片失效分析，有時(shí)也會(huì)略稱為檢測(cè)，容易混淆。[3]

質(zhì)量控制設(shè)備在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的位置[2]

質(zhì)量控制決定著芯片生產(chǎn)的良率，集成電路生產(chǎn)工藝復(fù)雜，僅前道制程就存在數(shù)百道工序，量變引發(fā)質(zhì)變，每道工序的缺陷都會(huì)隨時(shí)間推移而被放大到數(shù)倍甚至數(shù)十倍，所以只有保證每道工序都不存在缺陷，才能保證最終成品的性能。

換句話說(shuō)，生產(chǎn)每走一步，就要用半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備查看一次生產(chǎn)情況。根據(jù)生產(chǎn)環(huán)節(jié)不同，半導(dǎo)體質(zhì)量控制分為前道檢測(cè)、中道檢測(cè)和后道測(cè)試。

前道檢測(cè)：又稱為過(guò)程工藝檢測(cè)，面向晶圓制造，檢查光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、CMP等晶圓制造環(huán)節(jié)后產(chǎn)品加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)要求或存在影響良率缺陷，偏向物理性檢測(cè)；

中道檢測(cè)：一種新興概念，面向先進(jìn)封裝，以光學(xué)等非接觸式手段針對(duì)重布線結(jié)構(gòu)、凸點(diǎn)與硅通孔等晶圓制造環(huán)節(jié)的質(zhì)量控制；

后道測(cè)試：面向晶圓檢測(cè)（CP，Circuit Probing，又稱中測(cè)）和成品測(cè)試（FT，F(xiàn)inal Test，又稱終測(cè)），檢查芯片性能是否符合要求，偏向電性能檢測(cè)。[4]

前道檢測(cè)、中道檢測(cè)、后道測(cè)試在產(chǎn)業(yè)鏈中的位置，制圖丨果殼硬科技

兩種截然不同的現(xiàn)狀

從全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)來(lái)看，15%~20%的錢都花在了質(zhì)量控制設(shè)備上。細(xì)分市場(chǎng)方面，檢測(cè)設(shè)備、量測(cè)設(shè)備、測(cè)試設(shè)備分別占全球質(zhì)量控制設(shè)備市場(chǎng)的48%、6%、46%，同時(shí)形成了截然不同的前道檢測(cè)和后道測(cè)試市場(chǎng)。[5]

前道檢測(cè)和后道測(cè)試涉及具體設(shè)備及市場(chǎng)占比（基于可溯源最新數(shù)據(jù)），制圖丨果殼硬科技

參考資料丨中科飛測(cè)招股書(shū)[2]，未來(lái)半導(dǎo)體[6]

難造的檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備

幾納米的誤差、尺寸變化、顆粒或圖像錯(cuò)誤，都會(huì)導(dǎo)致芯片無(wú)法正常工作，假若前道工藝每道工藝良率損失0.1%，最終良率就會(huì)降低到36.8%[7]。檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備作為前道檢測(cè)兩大設(shè)備，能夠有效控制制造過(guò)程，提高產(chǎn)量。

量測(cè)設(shè)備：用于測(cè)量透明/不透明薄膜厚度、膜應(yīng)力、摻雜濃度、關(guān)鍵尺寸、光刻套準(zhǔn)精度等指標(biāo)，對(duì)應(yīng)設(shè)備分為橢偏儀、四探針、原子力顯微鏡、CD-SEM、OCD-SEM、薄膜量測(cè)等；

檢測(cè)設(shè)備：用于檢測(cè)晶圓表面缺陷（包括異物缺陷、氣泡缺陷、顆粒缺陷等），分為明/暗場(chǎng)光學(xué)圖形圖片缺陷檢測(cè)設(shè)備、無(wú)圖形表面檢測(cè)設(shè)備、宏觀缺陷檢測(cè)設(shè)備等。[2]

前道測(cè)試設(shè)備分類及主要廠商情況[8]

檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備有三個(gè)基礎(chǔ)要點(diǎn)：一是掃描必須覆蓋整個(gè)晶圓，同時(shí)保證缺陷密度在數(shù)百個(gè)工藝步驟后趨近于零；二是掃描速度必須足夠快，否則難以及時(shí)反饋制造過(guò)程的真實(shí)情況，普遍為幾分鐘到一小時(shí)之內(nèi)，要在幾分鐘內(nèi)檢查整個(gè)晶圓，需要大于1010像素每秒的數(shù)據(jù)速率，現(xiàn)今多數(shù)先進(jìn)系統(tǒng)常采用并行讀取數(shù)百像素的方式保證傳輸速率；三是檢測(cè)和量測(cè)系統(tǒng)必須完全自動(dòng)化，且24小時(shí)不間斷運(yùn)行，而預(yù)防性維護(hù)至少每三個(gè)月執(zhí)行一次。[9]

技術(shù)路線上，檢測(cè)和量測(cè)分為光學(xué)檢測(cè)、電子束檢測(cè)、X光量測(cè)三種，三種技術(shù)在靈敏度、吞吐量等參數(shù)上各有所長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)的應(yīng)用場(chǎng)景有所差別，同時(shí)三種技術(shù)均可應(yīng)用于28nm及以下（成熟制程和先進(jìn)制程分界線）的全部先進(jìn)制程。

檢測(cè)和量測(cè)三種技術(shù)路線，制表丨果殼硬科技

參考丨中科飛測(cè)招股書(shū)[2]

隨著半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展?jié)u深，檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備也逐漸跟上步伐，行業(yè)發(fā)展可分為兩個(gè)階段。第一階段是對(duì)靈敏度和可重復(fù)性要求不斷提升，隨之而來(lái)的，是監(jiān)控晶圓成本的上升；第二階段是對(duì)可靠性和易用性上提出需求，與此同時(shí)，芯片制造商對(duì)于性價(jià)比的追求，壓力不斷回傳至制造商。展望未來(lái)，兩種設(shè)備擁有以下發(fā)展趨勢(shì)：

量測(cè)設(shè)備：薄膜測(cè)量已從簡(jiǎn)單的單層厚度測(cè)量發(fā)展到多層厚度和折射率測(cè)量，同時(shí)薄膜質(zhì)量和化學(xué)計(jì)量已變得和薄膜厚度控制一樣重要，隨著晶圓尺寸增加，行業(yè)對(duì)其經(jīng)濟(jì)效益、精度和系統(tǒng)對(duì)系統(tǒng)匹配上提出更多要求，未來(lái)趨勢(shì)是監(jiān)測(cè)加工腔內(nèi)加工參數(shù)，而不是薄膜特性，此外，因分辨率高、速度低、點(diǎn)掃描等特性，而只能活躍在研究領(lǐng)域的電子顯微鏡，也已開(kāi)始在特定缺陷檢查中應(yīng)用，如測(cè)量光刻膠中線空間陣列的臨界尺寸；[9]

檢測(cè)設(shè)備：從300mm晶圓，再到越來(lái)越逼近極限的制程節(jié)點(diǎn)，對(duì)檢測(cè)系統(tǒng)靈敏度、吞吐量、可重復(fù)性和自動(dòng)化等指標(biāo)要求早已不同往日，伴隨臨界尺寸逐漸縮小，靈敏度要求只會(huì)越來(lái)越高，與之相對(duì)的是，高靈敏度檢測(cè)成本極高，這是行業(yè)不得不面對(duì)的現(xiàn)實(shí)[10]。未來(lái)，新器件結(jié)構(gòu)（GAAFET）、新材料（石墨烯、碳納米管、二硫化鉬等）、新芯片形態(tài)（神經(jīng)擬態(tài)計(jì)算）等都會(huì)為檢測(cè)設(shè)備帶來(lái)更多難題，而機(jī)器學(xué)習(xí)、深度學(xué)習(xí)、亞波長(zhǎng)成像技術(shù)是潛在的顛覆性技術(shù)。[11]

半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備研發(fā)難度高，投入大，但市場(chǎng)空間不如中下游集成電路或芯片那般大，且增速較為平穩(wěn)。數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備將從2021年的73億美元提升至2031年的133億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率6.2%，同時(shí)這一領(lǐng)域全球集中度極高，科磊半導(dǎo)體（KLA）、應(yīng)用材料（Applied Materials）、日立（Hitachi）三家全球市場(chǎng)占比分別為50.8%、11.5%、8.9%。[12]

2020年全球半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)格局[2]

我國(guó)半導(dǎo)體檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率極低，2020年我國(guó)半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率約為2%，科磊半導(dǎo)體、應(yīng)用材料、日立三家公司分別占據(jù)我國(guó)檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)的54.8%、9.0%、7.1%。而我國(guó)整體市場(chǎng)占全球市場(chǎng)約27.4%，根據(jù)推算，2023年我國(guó)檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模能夠達(dá)到326億元。[13][14]

專利角度來(lái)看，中國(guó)非常重視半導(dǎo)體檢測(cè)技術(shù)，并已展開(kāi)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。智慧芽數(shù)據(jù)顯示，以半導(dǎo)體檢測(cè)為關(guān)鍵詞搜索，在170個(gè)國(guó)家/地區(qū)中，共3210條專利，總價(jià)值109,148,100美元。

半導(dǎo)體檢測(cè)專利趨勢(shì)，圖源丨智慧芽

技術(shù)生命周期方面，自1957年開(kāi)始，半導(dǎo)體檢測(cè)技術(shù)開(kāi)始被關(guān)注。1957年~1975年相關(guān)專利申請(qǐng)書(shū)一直為個(gè)位數(shù)，技術(shù)關(guān)注度并不高。1976年~2001年時(shí)期，申請(qǐng)量和申請(qǐng)人逐年上升，可視作技術(shù)萌芽期。2002年~2022年，每年相關(guān)專利申請(qǐng)數(shù)量保持在100~132個(gè)，市場(chǎng)關(guān)注度保持穩(wěn)定，綜合各種因素預(yù)計(jì)，未來(lái)兩年專利申請(qǐng)數(shù)將微量增長(zhǎng)。

技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)方面，日本、中國(guó)、美國(guó)、韓國(guó)、德國(guó)位列半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域前五，分別占比39.43%、15.26%、15.22%、8.7%、6.84%。

半導(dǎo)體檢測(cè)技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)排名，圖源丨智慧芽

縱觀五局流向圖，日本與美國(guó)的半導(dǎo)檢測(cè)技術(shù)相關(guān)專利出海情況較為良好，而中國(guó)則集中在國(guó)內(nèi)，缺乏出海專利。

半導(dǎo)體檢測(cè)五局流向圖，圖源丨智慧芽

從半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)人情況來(lái)看，科磊、日立專利儲(chǔ)備大幅領(lǐng)先市場(chǎng)其余玩家，東芝、松下、三菱、濱松光子、三星電子、通用電氣、住友重機(jī)械、瑞薩、日本電氣、橫河電機(jī)等企業(yè)在半導(dǎo)體檢測(cè)專利領(lǐng)域也極為活躍。

不過(guò)，專利集中度自2017年后逐年下降。過(guò)去二十年內(nèi)，2006年、2010年、2013年、2017年半導(dǎo)體檢測(cè)集中度超過(guò)了50%，分別達(dá)到57.5%、51.85%、65.81%、65.38%，而到2022年，集中度已下降至27.97%。

半導(dǎo)體檢測(cè)申請(qǐng)人排名分析，圖源丨智慧芽

國(guó)內(nèi)方面，開(kāi)爾文測(cè)控、中科飛測(cè)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、翼云電子、聯(lián)訊儀器等國(guó)內(nèi)新進(jìn)入者在近幾年較為活躍，后續(xù)表現(xiàn)值得關(guān)注。

半導(dǎo)體檢測(cè)新進(jìn)入者分析，圖源丨智慧芽

半導(dǎo)體量測(cè)專利領(lǐng)域不如檢測(cè)領(lǐng)域那樣熱鬧，智慧芽數(shù)據(jù)顯示，在170個(gè)國(guó)家/地區(qū)中，共27條專利，總價(jià)值2,487,600 (美元)，其中中國(guó)包攬了47.62%的相關(guān)專利，其次是美國(guó)（33.33%）、韓國(guó)（9.52%）。主要企業(yè)包括科磊、上海精測(cè)半導(dǎo)體、汎銓科技、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、思達(dá)科技、真芯半導(dǎo)體、中科院微電子所等。

半導(dǎo)體量測(cè)申請(qǐng)人排名分析，圖源丨智慧芽

缺乏高端的測(cè)試設(shè)備

在行業(yè)中，封裝和測(cè)試多被劃入一個(gè)領(lǐng)域，即封測(cè) (Semiconductor assembly and test manufacturing，ATM) ，工藝流程包括劃片、裝片、 鍵合、塑封、去飛邊、電鍍、打印、切筋和成型、外觀檢查、成品測(cè)試、包裝出貨等。[15]

相對(duì)于穿插在每道工序間的檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備，測(cè)試設(shè)備穿插在封裝工藝的一前（晶圓檢測(cè)）和一后（成品測(cè)試）。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是在一顆顆芯片從刻好電路的晶圓上切割下來(lái)前，測(cè)試一遍各種參數(shù)，通過(guò)測(cè)試后，再像裝香腸一樣，封裝成芯片，之后再測(cè)試一遍芯片的性能。

測(cè)試設(shè)備包括測(cè)試機(jī)（Tester）、探針臺(tái)（Prober）、分選機(jī)（Test Handler）三種，無(wú)論是晶圓檢測(cè)還是成品測(cè)試，測(cè)試芯片均需先將芯片引腳與測(cè)試機(jī)功能模塊相連（探針臺(tái)和分選機(jī)的作用），再通過(guò)測(cè)試機(jī)向芯片輸入信號(hào)，并檢測(cè)輸出信號(hào)。[16]

三種測(cè)試設(shè)備中，測(cè)試機(jī)市場(chǎng)更大，技術(shù)壁壘也更高，不止如此，客戶還對(duì)測(cè)試精度、響應(yīng)速度、存儲(chǔ)能力、采集分析能力、應(yīng)用程序定制化、平臺(tái)延展性等方面提出越來(lái)越高的要求。[17]

集成電路生產(chǎn)及測(cè)試具體流程[17]

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可分為3個(gè)發(fā)展階段：1990年~2000年，是功能時(shí)代，制程工藝集中在0.8μm~0.13μm，芯片搭載功能越來(lái)越多，傳統(tǒng)測(cè)試平臺(tái)逐漸被淘汰；2000年~2015年，是效率時(shí)代，隨著工藝從0.13μm發(fā)展到14nm，并行測(cè)試需求擴(kuò)大，4工位、8工位測(cè)試成為標(biāo)配；2015年至今，是新興時(shí)代，制程工藝步入3nm，此時(shí)單純的芯片測(cè)試只是基礎(chǔ)性功能，trim（微調(diào)）等更多復(fù)雜性功能成為標(biāo)配，這些功能可以有效減少設(shè)計(jì)時(shí)間、提高產(chǎn)品良率。[7]

半導(dǎo)體封測(cè)是我國(guó)最早轉(zhuǎn)型的制造環(huán)節(jié)，迄今為止，它已成為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中相對(duì)成熟的環(huán)節(jié)。早在2010年，我國(guó)就已在封裝測(cè)試環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)632億元的銷售額，其產(chǎn)值一度占據(jù)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值的70%以上[15]。而在2020年，我國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到91.4億元，并且連續(xù)多年成為全球最大半導(dǎo)體銷售市場(chǎng)。[18]

雖然看似一片繁榮，但實(shí)際核心的測(cè)試機(jī)國(guó)產(chǎn)市占率較低。通過(guò)查看2015年到現(xiàn)在國(guó)內(nèi)封測(cè)廠商長(zhǎng)電科技公開(kāi)招標(biāo)信息，測(cè)試機(jī)主要以海外頭部廠商為主。

2019年，美國(guó)泰瑞達(dá)（Teradyne)、日本愛(ài)德萬(wàn)（Advantest）兩大龍頭全球合計(jì)市占率達(dá)到90%，占據(jù)國(guó)內(nèi)測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)將近91.2%的市場(chǎng)份額，此外，美國(guó)科休（Cohu）、美國(guó)安捷倫（Agilent)、美國(guó)科利登（Xcerra）等廠商也長(zhǎng)期盤踞位居前幾。反觀國(guó)內(nèi)本土市場(chǎng)，華峰測(cè)控占比國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額僅6.1%，長(zhǎng)川科技為2.4%。[19]

相比來(lái)說(shuō)，愛(ài)德萬(wàn)、泰瑞達(dá)早在20世紀(jì)60~70年代進(jìn)入半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，我國(guó)則起步較晚，所以產(chǎn)品線單一，側(cè)重于模擬/混合測(cè)試機(jī)，海外廠商則在SoC測(cè)試機(jī)、存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)、模擬/混合測(cè)試機(jī)三大種類均有涉獵。

探針臺(tái)方面，Tokyo Electron和Accretech占據(jù)全球73%份額，惠特科技（Fittech）、旺矽科技（MPI）兩家中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)占據(jù)剩余市場(chǎng)份額大部分空間。[19]

國(guó)內(nèi)外設(shè)備廠商ATE測(cè)試機(jī)對(duì)比[19]

專利角度來(lái)看，日本建立的專利墻極高，國(guó)內(nèi)也在突破這道墻。智慧芽數(shù)據(jù)顯示，以半導(dǎo)體測(cè)試為關(guān)鍵詞搜索，在170個(gè)國(guó)家/地區(qū)中，共7057條專利，總價(jià)值127,781,900美元。

半導(dǎo)體測(cè)試專利趨勢(shì)，圖源丨智慧芽

技術(shù)生命周期方面，自1955年開(kāi)始，半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)開(kāi)始受到關(guān)注。1955年~1981年相關(guān)專利申請(qǐng)書(shū)一直為個(gè)位數(shù)。1982年~1993年，短短十幾年，專利申請(qǐng)量就已破百。1994年~2007年，專利申請(qǐng)數(shù)和申請(qǐng)人逐年上升，市場(chǎng)進(jìn)入萌芽期，同時(shí)2007年成為歷史上半導(dǎo)體測(cè)試專利申請(qǐng)最多的一年，而此后申請(qǐng)專利開(kāi)始放緩，直到現(xiàn)在市場(chǎng)開(kāi)始顯現(xiàn)上升趨勢(shì)。2008至今，市場(chǎng)仍然保持一定量的專利申請(qǐng)數(shù)量，市場(chǎng)進(jìn)入穩(wěn)定期，且未來(lái)兩年呈增長(zhǎng)趨勢(shì)。

技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)方面，日本、中國(guó)、美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣位列半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域前五，分別占比49.72%、18.18%、15.31%、13.29%、2.32%。

半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)排名，圖源丨智慧芽

五局流向圖方面，與半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域類似，日本與美國(guó)的半導(dǎo)檢測(cè)技術(shù)相關(guān)專利出海情況較為良好，而中國(guó)則幾乎沒(méi)有出海的專利。

半導(dǎo)體測(cè)試五局流向圖，圖源丨智慧芽

從半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)人情況來(lái)看，愛(ài)德萬(wàn)專利儲(chǔ)備大幅領(lǐng)先市場(chǎng)其余玩家，橫河電機(jī)、三菱、三星、日立、東芝、瑞薩、泰瑞達(dá)、富士通、臺(tái)積電、日本電氣、中芯國(guó)際等企業(yè)在半導(dǎo)體測(cè)試專利領(lǐng)域也極為活躍。此外，2004年~2017年，半導(dǎo)體測(cè)試專利集中度常年保持在50%以上，而在2018年后至今，專利集中度逐漸至30%左右。

半導(dǎo)體測(cè)試申請(qǐng)人排名分析，圖源丨智慧芽

國(guó)內(nèi)方面，勝達(dá)克、長(zhǎng)川科技、華峰測(cè)控、精測(cè)電子、澤豐半導(dǎo)體、加速科技、木王智能、英鉑科學(xué)儀器等國(guó)內(nèi)新進(jìn)入者在近幾年較為活躍，后續(xù)表現(xiàn)值得關(guān)注。

半導(dǎo)體測(cè)試新進(jìn)入者分析，圖源丨智慧芽

設(shè)備商需更多關(guān)注

國(guó)內(nèi)在前道檢測(cè)和后道測(cè)試領(lǐng)域均有不同程度發(fā)展，相對(duì)來(lái)說(shuō)，后道測(cè)試的整體發(fā)展比前道檢測(cè)更快一些，但無(wú)論是哪一方面，國(guó)內(nèi)均缺乏高端設(shè)備。對(duì)于現(xiàn)階段發(fā)展，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：

業(yè)界較為統(tǒng)一的觀點(diǎn)是，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備自給率低主因在于系統(tǒng)、終端、制造和封測(cè)廠商習(xí)慣性采購(gòu)國(guó)外大廠產(chǎn)品, 造成本土設(shè)備難以自證自身實(shí)際生產(chǎn)制造能力，這種情況下，產(chǎn)學(xué)研與產(chǎn)業(yè)鏈溝通是關(guān)鍵；[20]

現(xiàn)階段產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不平衡已成事實(shí)，擺在國(guó)產(chǎn)廠商面前的路并不只是追求最低的成本，也需要不斷改善設(shè)備的穩(wěn)定性、可靠性、一致性，為了擴(kuò)大應(yīng)用，應(yīng)不斷推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作聯(lián)動(dòng)；[7]

我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)起步晚，缺乏高技能高創(chuàng)新人才，且人才黏度不足、人才結(jié)構(gòu)不合理，現(xiàn)有人才水平難以支撐行業(yè)發(fā)展需求，國(guó)內(nèi)制造業(yè)發(fā)展大環(huán)境正在逐漸改善，但仍需進(jìn)一步優(yōu)化人力資源結(jié)構(gòu)；[19]

芯片的制程工藝依然遵循著摩爾定律所規(guī)劃的路線向前發(fā)展，可以說(shuō)，晶體管密度越大，對(duì)相關(guān)檢測(cè)、量測(cè)、測(cè)試設(shè)備的靈敏度、速度等參數(shù)要求就越高，誰(shuí)能更快且非破壞性地找出缺陷所在，誰(shuí)就能夠得到市場(chǎng)青睞，而這種技術(shù)的變化也會(huì)是國(guó)產(chǎn)化的機(jī)遇，國(guó)產(chǎn)并非沒(méi)有機(jī)會(huì)，此時(shí)，國(guó)內(nèi)廠商應(yīng)發(fā)揮出自身高性價(jià)比和優(yōu)質(zhì)服務(wù)的優(yōu)勢(shì)，持續(xù)降本增效；

中道檢測(cè)是伴隨先進(jìn)封裝所提出，其中也包括了行業(yè)大熱的Chiplet（芯粒），當(dāng)芯片越來(lái)逼近1nm極限，行業(yè)正藉由優(yōu)化其它工藝提升芯片整體性能，這些全新工藝也對(duì)檢測(cè)、測(cè)試設(shè)備提出新要求，國(guó)內(nèi)應(yīng)該抓住這樣的發(fā)展機(jī)會(huì)。[7]

雖說(shuō)困難重重，但實(shí)際上情況也沒(méi)有想象中那樣差，在地緣政治摩擦加劇之下，更多關(guān)注度、資金、技術(shù)也開(kāi)始流向半導(dǎo)體設(shè)備廠商，同時(shí)在各項(xiàng)政策激勵(lì)和基金加持下，這些廠商也將擁有越來(lái)越多的試錯(cuò)機(jī)會(huì)。

審核編輯 ：李倩