半導體的重要性

在微米和亞微米尺寸上創造具有明確特征的材料的能力對于廣泛的研究領域和企業至關重要，從微電子芯片和設備到組織開發。自1970年代以來，半導體行業率先創造了具有亞微米精度的空間設計材料，引領了生成當前數字化所必需的日益復雜的結構化薄膜和微型電子產品的趨勢。

半導體可以在筆記本電腦、消費電子產品、電信設備、工業設備、汽車部件和軍事資產中找到。這些商品中的半導體材料執行認知處理、可視化、能量控制、存儲系統、電路設計以及視覺和電源之間的轉換等服務。

半導體制造工藝

半導體和微芯片制造過程由幾個獨特的處理階段組成，這些階段導致一系列活動可能發生在特定設施或許多設施的不同程序中。典型的微芯片生產過程包含數百個階段，其中許多階段在制造過程中執行了無數次。在晶圓上，通過物理化學過程的組合產生大量微型晶體管。

一些基本的制造工藝包括沉積、氧化、光刻、摻雜、薄膜沉積、蝕刻、金屬化、化學機械平面化 (CMP) 和封裝。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

步驟簡述

該過程從硅晶片基板開始。晶圓是從99.99%的純硅（硅錠）棒上切下并精煉至完美。為了提供保護層或屏蔽，在晶片上生產或涂覆二氧化硅。之后，在晶圓上涂上一層稱為“光刻膠”的光敏涂層。

正抗蝕劑和負抗蝕劑是抗蝕劑的兩種形式。光刻是一個重要的階段，因為它決定了芯片上晶體管的尺寸。將芯片晶圓放入***中，在此步驟中進行深紫外 (DUV) 或強紫外 (EUV) 照射。去除硅骨架基板或涂層膜的不需要的部分以顯示基本物質或使替代物質能夠被涂層而不是蝕刻層。

微芯片的導電區域是通過將導電金屬沉積到晶片上形成的。最后，從晶圓底部去除多余的物質，以確保結果具有光滑、光滑的質地。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

什么是光刻？

將幾何形狀傳輸到硅晶片底部的方法稱為光刻。通過旋涂法在晶圓上沉積光敏光刻膠。將1.5～5mL的光刻膠溶液倒在壓力夾具上高速旋轉的晶圓上，使光刻膠均勻覆蓋在半導體表面。

旋涂后，晶圓被“軟烘烤”以去除光刻膠中的大部分溶劑。抗蝕劑的固體成分停留在基材表面，然后暴露在空氣中。只有在基板表面暴露于環境的部分，感光材料才會發生化學反應。一段時間后，將未覆蓋的晶圓進行“硬烘烤”，以提高抗蝕劑的附著力，并為后處理準備表面層。

***和系統

微芯片光刻設備需要三種基本技術，它們的性能由它們決定。第一項創新是“投影鏡頭的分辨率能力”。可以光學傳輸的電路設計越復雜，鏡頭的分辨率就越高。

“對齊精度”是第二種技術。光掩模必須更換數十次，電路設計必須在曝光過程中不斷雕刻才能制造出單個晶體管。因此，硅晶片和光掩模必須始終完美協調。第三個關鍵因素是“吞吐量”。當晶體管量產時，這項技術至關重要。吞吐量是衡量效率的指標，表示為每小時曝光的硅晶片數量。

江蘇英思特半導體科技有限公司主要從事濕法制程設備，晶圓清潔設備，RCA清洗機，KOH腐殖清洗機等設備的設計、生產和維護。

審核編輯：湯梓紅