女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

對于H6橋拓撲的單相逆變器是選擇IGBT還是MOSFET功率開關管呢?

廣州飛虹半導體 ? 來源:廣州飛虹半導體 ? 2023-04-11 10:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

對于這個問題其實市場上在應用中已經有比較好的答案,目前在H6橋拓撲的單相光伏逆變器中經常會用到FGH60N60SMD的IGBT單管。

但由于目前IGBT市場的變化以及產品產能的穩定性問題,對于廠家都在考慮如何選擇能代換FGH60N60SMD的型號參數的IGBT單管來應用呢?在國內有有比較好的IGBT能替代該型號參數的嗎?

以上問題對于任何一家基于H6橋的單相光伏逆變器廠家而言都是重要的。今天飛虹電子就來回答對于基于H6橋的單相光伏逆變器,要使用什么IGBT型才能適配電路這一問題。

對于基于H6橋的單相光伏逆變器,我們推薦使用飛虹電子的FHA60T65A。畢竟FHA60T65A是可以代換FGH60N60SMD等IGBT的產品型號參數。

為什么?因為FHA60T65A擁有反向并行的快恢復二極管特性、高可靠性,Trench Field Stop technology(拖尾電流非常短、出色的Vcesat飽和壓降、關斷損耗低)、擁有正溫度系數。

在特點中可知,這一款60A、650V電流、電壓的FHA60T65A型號IGBT單管參數是很適合使用在基于H6橋的單相光伏逆變器的電路上。

目前在應用中,我們基于H6橋的單相光伏逆變器研發工程師一定要了解優質FHA60T65A國產型號的詳細參數:其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。

FHA60T65A是一款N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優化工藝,來獲得極低的 VCEsat 飽和壓降,并在導通損耗和關斷損耗(Eoff)之間能做出來良好的權衡。

目前FHA60T65A型號IGBT單管已經廣泛適用于基于H6橋的單相光伏逆變器、高頻車載正玄波AC220V逆變器、光伏逆變器、戶外儲能電源、UPS、變頻器、電焊機和工業縫紉機等各類硬開關。可替代其它品牌型號:FGH60N60SMD。

FHA60T65A的封裝形式是TO-247,其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。

487e700a-d798-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

因此對于選取單相光伏逆變器所需功率開關管(IGBT 或MOSFET) ,由于高頻開關管的開關頻率為20KHZ。所以為減少損耗、提高整機效率,應選取EON/EOFF較小的開關管,同時驅動電路也應相應優化,減少開關損耗。

基于H6橋的單相光伏逆變器已經廣泛應用于光伏逆變器中。因此對于基于H6橋的單相光伏逆變器如何在元器件上面提升產品質量,除選用FGH60N60SMD型號外,還可以用FHA60T65A型號參數來替代。







審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    150

    文章

    8608

    瀏覽量

    220439
  • 逆變器
    +關注

    關注

    293

    文章

    4905

    瀏覽量

    210939
  • 快恢復二極管

    關注

    2

    文章

    216

    瀏覽量

    15351
  • 功率開關管
    +關注

    關注

    1

    文章

    34

    瀏覽量

    10872

原文標題:代換FGH60N60SMD,FHA60T65A參數在H6橋的單相光伏逆變器中適配使用!

文章出處:【微信號:廣州飛虹半導體,微信公眾號:廣州飛虹半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    飛虹MOSFHP140N08V在DC-DC全拓撲電路中的應用

    針對48V供電的太陽能離網工頻逆變器的領域,尤其是DC-DC全拓撲電路中,高效的電能轉換與功率密度提升極度依賴核心功率器件的精準選型。
    的頭像 發表于 07-08 16:13 ?192次閱讀

    MOSFETIGBT選擇對比:中低壓功率系統的權衡

    功率電子系統中,MOSFETIGBT是兩種常見的開關器件,廣泛應用于中低壓功率系統。它們各有優缺點,適用于不同的應用場景。作為FAE,幫
    的頭像 發表于 07-07 10:23 ?742次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>與<b class='flag-5'>IGBT</b>的<b class='flag-5'>選擇</b>對比:中低壓<b class='flag-5'>功率</b>系統的權衡

    B3M020120H(SiC MOSFET)其替代IGBT的應用價值分析

    基于B3M020120H(SiC MOSFET)的技術參數,以下是其替代IGBT的應用價值分析,重點突出核心優勢與潛在考量: 核心優勢 高頻高效能
    的頭像 發表于 07-02 10:16 ?862次閱讀
    B3M020120<b class='flag-5'>H</b>(SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>)其替代<b class='flag-5'>IGBT</b>單<b class='flag-5'>管</b>的應用價值分析

    DC-DC開關電源參考設計

    DC-DC開關電源參考設計基于Kinetis V系列MCU,旨在為電源轉換應用提供范例。全DC-DC轉換器是變壓器隔離的降壓轉換器。全拓撲
    發表于 05-23 15:09

    開關電源拓撲結構介紹

    380v.其次是負載容量大小及供電方式。 選擇的原則取決于它是大功率還是功率,輸出低壓輸出高壓輸出還是低,以及是否需要盡可能少的器件。因此
    發表于 05-12 16:04

    SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數優化設計

    0? 引言SiC-MOSFET 開關模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-
    發表于 04-23 11:25

    MOSFETIGBT的區別

    損耗的主要因素,討論二極恢復性能對于開關拓撲的影響。 SMPS的進展一直以來,離線式SMPS產業由功率半導體產業的
    發表于 03-25 13:43

    移相全ZVS及ZVZCS拓撲結構分析

    續流態中實現開關的軟開關。全移相ZVS-PWMDCIDC 變換拓撲自出現以來,得到了廣泛應用,其有如下優點: 1)充分利用電路中的寄生參
    發表于 03-04 16:42

    每一個H功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成的電機驅動芯片

    SS8812T的每一個H功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成。每個H
    的頭像 發表于 01-07 09:32 ?536次閱讀
    每一個<b class='flag-5'>H</b><b class='flag-5'>橋</b>的<b class='flag-5'>功率</b>輸出模塊由N型<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>組成的電機驅動芯片

    單相逆變電路分享

    單相逆變電路 單相逆變電路也稱“H ”電路,其電路拓樸結構如圖1所示,由兩個半
    的頭像 發表于 12-22 14:31 ?1w次閱讀
    <b class='flag-5'>單相</b>全<b class='flag-5'>橋</b>逆變電路分享

    新品 | 采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半功率

    開關和柵極驅動器接口的單半,可輕松構建任何基于半功率拓撲。相關器件:IPF021N13NM6
    的頭像 發表于 10-24 08:03 ?935次閱讀
    新品 | 采用OptiMOS? <b class='flag-5'>6</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的模塊化半<b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>功率</b>板

    為什么高UVLO對于IGBT和SiC MOSFET電源開關的安全工作非常重要

    電子發燒友網站提供《為什么高UVLO對于IGBT和SiC MOSFET電源開關的安全工作非常重要.pdf》資料免費下載
    發表于 10-14 10:11 ?1次下載
    為什么高UVLO<b class='flag-5'>對于</b><b class='flag-5'>IGBT</b>和SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>電源<b class='flag-5'>開關</b>的安全工作非常重要

    IGBT三相全整流電路原理是什么

    電壓驅動式功率半導體器件,它將BJT(雙極型三極)和MOSFET(金屬氧化物場效應晶體)的優點集于一身,具有輸入阻抗高、驅動功率小、
    的頭像 發表于 09-30 15:33 ?9478次閱讀

    llc諧振拓撲優點缺點是什么

    LLC諧振拓撲是一種在電力電子領域中廣泛使用的高效率、高功率密度的轉換器拓撲結構。它結合了半和LLC(諧振轉換器)的特點,適用于高
    的頭像 發表于 09-06 16:00 ?1725次閱讀

    開關是mos還是IGBT

    開關既是mos也是IGBT開關是一種電子器
    的頭像 發表于 08-07 17:21 ?5295次閱讀