女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

國產SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規認證

jf_09965798 ? 來源:jf_09965798 ? 作者:jf_09965798 ? 2023-03-22 16:47 ? 次閱讀

2022年11月,上海瞻芯電子開發的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101),該產品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達111A。

pYYBAGQav2iAXt1rAAgHaYgFUdQ978.png

這款SiC MOSFET是專為汽車電子而設計的高可靠性、高品質和高性能器件,具有高耐壓、大電流、低導通電阻等特點,最大電流(Ids)為111A@25℃,工作溫度范圍是-55℃-175℃,非常適合新能源汽車主電機驅動,能顯著提高主驅系統的功率密度,減少磁性組件體積和重量,簡化電路設計,從而顯著減少系統總成本。

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產品通過AEC-Q101認證,同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進一步突破傳統單面封裝的功率密度極限。

poYBAGQav6eAGzv1AAJXajMBN3s633.png

分立器件的車規級可靠性認證,主要參照AEC-Q101標準,約有 23項測試內容,其中多項要求在高溫、高濕度等惡劣環境下,通過 1000 小時的嚴格測試后仍可正常工作,這表明產品能適應復雜惡劣的車載應用環境。

面向車載應用市場,瞻芯電子已開發了一系列按車用標準設計的SiC MOSFET,SiC SBD和柵極驅動芯片產品,如下表,其中標藍色的5款產品已通過車規級可靠性認證,還有部分產品大批量“上車”應用。

poYBAGQav9iANSyyAAA617tKtl0442.png

pYYBAGQav72Adp2bAAAZ2A9oI8k166.png

此外,在近期上海集成電路行業協會發布的《長三角汽車電子芯片產品手冊(2022年)》中,有3款瞻芯電子開發的車規級產品被收錄,包括:IV1Q12080T3Z, IV1D12040U3Z, IVCR1402DPQR。該手冊征集共收集了69家企業、13個大類符合車規級要求的215款產品。

瞻芯電子是中國第一家自主開發并掌握6英寸SiC MOSFET產品以及工藝平臺的公司,建成了一座按車規級標準設計的SiC晶圓廠,將持續創新,放眼世界,致力于打造中國領先、國際一流的碳化硅(SiC)功率半導體和芯片解決方案提供商。

審核編輯黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    149

    文章

    8181

    瀏覽量

    218074
  • 封裝
    +關注

    關注

    128

    文章

    8439

    瀏覽量

    144658
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    31

    文章

    3139

    瀏覽量

    64327
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3002

    瀏覽量

    50013
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    聞泰科技推出1200V SiC MOSFET

    ,聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車1200V SiC MOSFET,為電動汽車行業注入強勁新動能。
    的頭像 發表于 05-14 17:55 ?328次閱讀

    AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應用能效優化而生

    (Gen3)1200V aSiC MOSFET系列產品,旨在為蓬勃發展的工業電源應用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產品相比,該系列產品在高負載條件下能夠保持較低導通損耗的同時,其開關品質因數
    發表于 05-07 10:56 ?418次閱讀
    AOS<b class='flag-5'>推出</b>第三代<b class='flag-5'>1200V</b> aSiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,專為高<b class='flag-5'>功率</b>應用能效優化而生

    Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

    Nexperia(安世半導體)正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET
    的頭像 發表于 03-21 10:11 ?546次閱讀

    SiC MOSFET分立器件及工業模塊介紹

    BASiC國產SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發表于 01-16 14:32 ?1次下載

    三菱電機1200VSiC MOSFET技術解析

    1200VSiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件,廣泛應用于工業、汽車等領域。目前,12
    的頭像 發表于 12-04 10:50 ?1496次閱讀
    三菱電機<b class='flag-5'>1200V</b>級<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術解析

    瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

    為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC
    的頭像 發表于 11-27 14:58 ?806次閱讀
    瞻芯電子<b class='flag-5'>推出</b>采用TC3Pak封裝的<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    東芝推出全新1200V SiC MOSFET

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiCMOSFET“X5M007E120”,其創新的結構可實現低
    的頭像 發表于 11-21 18:10 ?825次閱讀
    東芝<b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    納芯微發布首款1200V SiC MOSFET,為高效、可靠能源變換再添助力!

    納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供
    的頭像 發表于 10-29 13:54 ?549次閱讀
    納芯微發布首款<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,為高效、可靠能源變換再添助力!

    1200V碳化硅sic功率器件測試及建模

    隨著電力電力電子技術逐漸向高壓大電流方向發展,傳統的 Si 基器件由于損耗大、開關速度慢、耐壓低等缺點逐漸被 SiC(碳化硅)器件所取代。其中 12
    發表于 10-17 13:44 ?0次下載

    基本半導體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101認證

    近日,基本半導體自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101級可靠性認證,產品性能和可靠性滿足汽車電子元
    的頭像 發表于 09-13 10:20 ?950次閱讀
    基本半導體碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>通過AEC-Q101<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規</b>級<b class='flag-5'>認證</b>

    基本半導體碳化硅MOSFET通過認證,為汽車電子注入新動力

    近日,中國半導體行業的佼佼者——基本半導體公司,再次在科技領域邁出堅實步伐。該公司自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通過了AEC-Q101
    的頭像 發表于 06-26 17:58 ?1185次閱讀

    本土IDM廠商SiC MOSFET新進展,將應用于車載電驅

    的普及,離不開碳化硅的產能提升以及降本節奏加速,在800V電壓系統下,一般需要1200V耐壓的SiC
    的頭像 發表于 06-25 00:05 ?5287次閱讀

    瞻芯電子SiC MOSFET技術新突破,級產品正式量產

    Ω SiC MOSFET產品(IV3Q12013T4Z)成功通過了級可靠性(AEC-Q101)測試認證,這一里程碑式的成果標志著瞻芯電子
    的頭像 發表于 06-24 10:05 ?851次閱讀

    瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過級可靠性測試認證

    認證;同時,瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產,后續將依托浙江義烏的
    的頭像 發表于 06-24 09:13 ?1176次閱讀
    瞻芯電子第三代<b class='flag-5'>1200V</b> 13.5mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>通過<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規</b>級可靠性測試<b class='flag-5'>認證</b>

    Nexperia發布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司推出了業界領先的1200V碳化硅(SiCMOSFET,標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破
    的頭像 發表于 05-23 11:34 ?1203次閱讀