圖1
圖2 mos管防反接電路
這是英飛凌給的TLE987X的反接保護電路,12V系統(tǒng)。mos S極是Vbat,D極是負載。
Rrp1電阻右邊是MCU升壓電路得到的電壓VCP,在24V左右,當(dāng)電池被反接時VCP不輸出電壓。
上圖2中所示的是一顆增強型的NMOS管
電池正常連接(即Rrp2右端接GND,NMOS的源極S接Vbat)時,三極管NPN處于截止?fàn)顟B(tài),又VCP電壓通過Rrp1電阻送入MOS的柵極G,使得GS之間電壓超過mos管的閾值,NMOS管將會被導(dǎo)通,Vbat通過MOS管為后續(xù)電路供電。
電池被反接(即Rrp2右端接Vbat,NMOS的源極S接GND)時,VCP輸出為0,三極管NPN基極為高電平使得三極管導(dǎo)通,G點電位下降,關(guān)斷MOS管起到了保護作用。
上圖所示中二極管的作用,是當(dāng)電池正常連接時,防止三極管(Trpg)被擊穿;當(dāng)電池反接時,內(nèi)部的VCP電壓將會通過三極管續(xù)流到地。
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
2346瀏覽量
140627 -
mcu
+關(guān)注
關(guān)注
146文章
17984瀏覽量
366985 -
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
109文章
2626瀏覽量
70781 -
NMOS管
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
123瀏覽量
6000 -
防反接電路
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
79瀏覽量
6308
發(fā)布評論請先 登錄
基于MOS管的電源防反接電路設(shè)計

MOS管防反接電路的原理分析及電路仿真

關(guān)于MOS管防反接電路中的幾個問題?
常用的電源防反接電路該如何去實現(xiàn)呢
場效應(yīng)管防反接電路原理

硬件開發(fā)---MOS管、電源防反接電路

常用的電源防反接電路總結(jié)

評論