光模塊的TIA芯片怎么選型。是繼續沿用上一個項目中用過的型號，還是完全按照FAE的推薦?高速TIA芯片又該關注哪些參數呢？ 高速TIA電芯片作為光模塊中的核心器件，一直關注度很高，但是細分參數，品類，術語也非常多。但是常見的芯片規格書，動輒十幾頁，測試參數，圖標曲線，也是很難抓到重點。今天我們就來揭秘高速TIA芯片的面紗。和李工一起剖析如何看芯片規格書中的各種參數，曲線圖表。

1.速率Data rate

打開規格書，或者是單看芯片廠家網頁上的大標題，就是會看到關于TIA速率的描述：

·Low-Power, 28-Gbps, 4-Channel Limiting TIA

讓工程師一眼就能識別出來該芯片適用于電口速率28-Gbps或者25Gbps的應用，例如常見的100G以太網光模塊，或者100G BASE-LR4，OUT-4等光模塊。 速率Datarate即比特率，是每秒中傳輸了多少比特的二進制數，也就是光模塊的電口速率。還有波特率Gaud，波特率表示單位時間內傳送的符號的個數。比特率是區別于波特率的，例如NRZ編碼格式下，比特率是等于波特率的。但是PAM4編碼格式下，比特率等于兩倍的比特率。

然而datarate（比特率）其實并不是放大器的最直接的參數，數據的速率只是芯片廠家站在用戶的角度，針對光模塊的應用，方便大家一眼就能識別到選型而標出來的參數。同時，芯片標明適用于哪個速率，主要是芯片用該速率的數據做了完整的測試。具體詳細的直流參數和交流參數，都是有依據可查。真正的反應器件的能通過的數據速率大小的能力，實際上與帶寬Band with這個參數相關。 關于Band with這個參數，我們接著往下看。

2.功耗

為什么要關心功耗問題，因為模塊出廠前會測試功耗，模塊的Spec以及MSA協議中，明確的標明模塊的功率等級。光模塊也是一直往低功耗，體積小的趨勢發展。所以芯片的功耗成為光模塊應用比較關注的一個問題。

關于功耗，規格書的首頁Feature中會有典型值的說明：

·139 mW per Channel

典型值，讓我們明白4通道TIA中，單通道TIA的功耗大約在139mW。除了典型中，我們還可以關心DC Electrical Characteristics表格中對ICC和Receiver power dissipation的描述。表格中還可以看到關于芯片在85℃和100℃的功耗，這個也很重要。芯片在高溫下，散熱性能會變差，功耗會增加。光模塊也會做高溫測試，工作的時候，環境溫度都比較高，如果高溫下的功耗增加很多，超出規格，產品也不能通過測試規范。

舉例說明如下的各IC的功耗對比。

3.帶寬

帶寬是交流參數，表征能通過的多大頻率的信號，通常用下降3db時候對應的頻率來表示。例如下圖中，從頻譜圖上看-3db帶寬為21GHZ。

上文說過，帶寬這個參數直接關系到芯片的速率。只有帶寬更高的TIA，才能支持更高速的電口信號。為什么這樣說？ 例如，對于NRZ信號，28Gbps的datarate，根據香農采樣定律，帶寬為14GHZ就夠了。當然，目前28Gbps的TIA，更多的器件廠商，帶寬是在21GHZ。留有了1.5倍余量，防止了3db的衰減。

那么很多人會說，TIA的帶寬余量是不是越大越好？帶寬余量太高，對于發射端是沒有意義的，對于接收端反而是劣勢，會給接收端帶來更大的噪聲。下文中的噪聲會講到這個。 此外，高溫下，TIA的帶寬也在下降，如下圖。也就是說高溫下，對高頻信號會產生衰減。因而也需要查閱高溫下對芯片帶寬的影響，防止引發光模塊高溫下產生的眼圖問題。

4.噪聲

TIA是一種特殊功能的運放，講起運放，就不得不講噪聲。 運放的噪聲是一個復雜的概念，為什么這么說？TI的高級工程師ArtKay和TimGreen花了大量篇幅對運放噪聲進行了數學分析和仿真建模，看完了也會有種不明所以的感覺。如果沒有接觸過，也沒關系，這里我們先簡單看看幾家大廠對各自TIA的噪聲描述：

其實看完也挺迷糊，僅對噪聲的描述就有兩個單位，pA/√Hz和uArms. 這里我們簡單講解下。前者，皮安/平方根赫茲是頻譜密度，代表每 1Hz 頻帶內的噪聲總和等于每個噪聲的平方和再開方。對于 1Hz 帶寬，這個數值就等于噪聲大小，多少pA。后者是電流噪聲有效值，是在有效帶寬內，電流噪聲的積分。TIA的噪聲，都是取得Input-referred nosie，也就是輸入參考噪聲，它是總噪聲除以增益。通常該值會給出詳細的測試條件：

那么TIA的噪聲對于光模塊來說有什么影響？TIA的噪聲如果比較大，也就是TIA的信噪比會差，PD探測的光轉化成的電壓信號就不準了，造成后集的采樣輸出不對。尤其是光電流比較小，小信號的時候，噪聲的分量會變大，對小信號的采集就不準了。 有人說，公司庫存28G的TI比較多，能否直接應用到10G的光模塊塊中，正好也統一料號。這些是都不可取的。不僅成本更高，帶寬更大的TIA，噪聲也會大的多。例如：

5.輸入飽和電流

通常高速TIA都會給出一個叫overloadcurrent的參數來，一般在3mApp左右。這個飽和電流值指TI的輸入的最大電流值。結合PD的靈敏度參數，可以計算出能夠探測到的最大光強。

6.通道隔離度

多通道的TIA，每個通道都是獨立的，集成在一個die中。每個通道之間有隔離度這個參數，通常都大于40db。表征一個通道工作時對另外一個通道產生的噪聲影響。

7.面積大小

由于光模塊的封裝原來越小，通道也并聯的比較多，加上內部的光學器件，連接器使得光模塊內部也非常緊湊。于是芯片選擇的時候，大家也十分關注Die的大小。高速芯片大部分是Sige工藝，相比Cmos工藝，芯片的面積要更大。現在4通道的TIA Die的大小通常是3.5mm*1.5mm左右,GN1086面積相對比較占優勢。

8.其它功能，RSSI, AGC，帶寬控制等

除了帶寬，噪聲，功耗，Die的大小這些重要參數之外，影響選型的還有一些方便光模塊設計的一些集成功能。例如：

·增益調整：通過Pin腳的控制，調整互阻抗的大小，調節輸入和輸出的關系，方便用戶使用。

·幅度調整：通過Pin腳的控制，調節輸出幅度的大小，適用不同的信號

·RSSI：接收信號強度指示功能，能夠方便后集進行電壓采樣，監控接收信號強度過載還是無光。

審核編輯：劉清