上一篇文章中，簡單介紹了SPICE模型中的熱模型（Thermal Model），它是用來進行熱仿真的SPICE模型之一。本文將簡單介紹另一個熱仿真用的SPICE模型，即熱動態模型（Thermal Dynamic Model）。

什么是熱動態模型

熱動態模型是內置了上一篇文章中介紹的熱模型，并且其特性通過自發熱而改變的SPICE模型。它是通過部件的損耗和模型內置的Thermal Model來計算Tj，并將該Tj反映在部件的電氣特性中。

下面是熱動態模型的源代碼示例。這里的部件是SiC肖特基勢壘二極管（SCS220），但思路和上圖一致，是在SiC-SBD的子電路模型中添加了熱模型。

下面介紹熱動態模型的使用示例。請將電路看做是本文最前面給出的電路示意圖。Q1是配有散熱器的SiC MOSFET，條件為Ta＝25℃（給Ta引腳施加25VDC）。獲得的仿真結果是，Tj通過MOSFET的開關而上升（圖表上段），Q1的特性隨Tj的變化而變化（中段、下段）。