女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-有無驅(qū)動器源極引腳的差異及其效果

吳藩 ? 來源:南海姑娘 ? 作者:南海姑娘 ? 2023-02-09 10:19 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本文的關(guān)鍵要點

?具備驅(qū)動器源極引腳,可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。

?具備驅(qū)動器源極引腳,可以提高導通速度。

在上一篇文章中,作為介紹驅(qū)動器源極引腳效果的前提,我們了解了在沒有驅(qū)動器源極引腳的以往封裝MOSFET(以下稱“以往MOSFET”)中的開關(guān)工作期間的電壓。在本文中,我們將一起了解具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的工作情況和驅(qū)動器源極引腳的效果。

有無驅(qū)動器源極引腳的差異及其效果

左下圖是以往MOSFET的驅(qū)動電路,右下圖是具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動電路。不同的是驅(qū)動電路的回流線的連接方式,以往MOSFET是連接到源極(Source)引腳,而具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET是連接到驅(qū)動器源極引腳(Driver Source)引腳,其源極是一個單獨的電源(Power Source)引腳。此外,每個藍色箭頭表示開關(guān)工作中的電壓。

pYYBAGPbio-ARhcTAAD0gJgekVI306.png

如藍色箭頭所示,兩者在開關(guān)工作中的電壓是相同的。再次提一下,MOSFET被施加VG并導通后,ID增加,LSOURCE沿圖中(I)的方向產(chǎn)生VLSOURCE。由于電流IG流入柵極引腳,因RG_EXT產(chǎn)生壓降VRG_EXT(I)。

如上所述,兩者產(chǎn)生的電壓是一樣的,但在以往MOSFET的情況下,VLSOURCE和VRG_EXT(I)被包含在導通時的驅(qū)動電路網(wǎng)中,因此MOSFET的導通工作所需的芯片上的電壓VGS_INT會減少,最終導致導通速度降低。而在具有驅(qū)動器源極引腳的情況下,ID會流向電源(Power Source)引腳,不流向驅(qū)動器源極(Driver Source)引腳,這部分不包含在驅(qū)動電路網(wǎng)中,因此可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。

poYBAGPbipGATw7mAAAlsOcRb2w652.png

如果具備驅(qū)動器源極引腳,則可以去掉pYYBAGPbipKAbrEpAAAIGm7Hr24562.png 項(=VLSOURCE),可以看出這部分電壓不會影響VGS_INT。這就是驅(qū)動器源極引腳的效果,可以提高導通速度。

在下一篇文章中,我們將通過工作波形來了解驅(qū)動器源極引腳的效果。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8608

    瀏覽量

    220447
  • 驅(qū)動器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    54

    文章

    8695

    瀏覽量

    149936
  • 引腳
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1728

    瀏覽量

    52889
  • 開關(guān)損耗
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    66

    瀏覽量

    13711
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    驅(qū)動器引腳是如何降低開關(guān)損耗

    在導通數(shù)據(jù)中,原本2,742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?,690μJ,損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2,039μJ降至1,462μJ,損耗減少了約30%。
    發(fā)表于 07-17 17:47 ?1390次閱讀
    <b class='flag-5'>驅(qū)動器</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>引腳</b>是如何降低<b class='flag-5'>開關(guān)損耗</b>

    有無驅(qū)動器引腳差異效果

    在上一篇文章中,我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動器引腳
    的頭像 發(fā)表于 06-15 16:06 ?3681次閱讀

    MOSFET開關(guān)損耗和主導參數(shù)

    開關(guān)過程中柵極電荷特性 開通過程中,從t0時刻起,柵極間電容開始充電,柵電壓開始上升,柵極電壓為 其中:,VGS為PWM柵極驅(qū)動器的輸出電壓,Ron為PWM柵極
    發(fā)表于 02-26 14:41

    通過驅(qū)動器引腳開關(guān)損耗降低約35%

    )”一詞所表達的,電路的優(yōu)先事項一定需要用最大公約數(shù)來實現(xiàn)優(yōu)化。對此,將在Tech Web的基礎知識“SiC功率元器件”中進行解說。另外,您還可以通過ROHM官網(wǎng)下載并使用本次議題的基礎,即Application Note“利用驅(qū)動器
    發(fā)表于 07-01 13:52

    驅(qū)動器引腳的 MOSFET 的驅(qū)動電路開關(guān)耗損改善措施

    的,區(qū)別只在于 4 引腳封裝通過設置驅(qū)動器引腳,消除了 LSOURCE 的影響,因此它們的
    發(fā)表于 11-10 06:00

    驅(qū)動器引腳效果:雙脈沖測試比較

    (淺藍色虛線)相比,有驅(qū)動器引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品(紅色虛線)和TO-263-7L封裝產(chǎn)品(綠色虛線)導通時的ID上升速度更快。通過
    發(fā)表于 06-17 16:06

    如何使用電流驅(qū)動器BM60059FV-C驅(qū)動SiC MOSFET和IGBT?

      新型電流驅(qū)動器 BM60059FV-C 如何在有限的 dv/dt 下工作時將開關(guān)損耗降低多達 26%。  更改參數(shù)時,通常需要進行許多其他更改。因此,找到完美的設計通常非常困難
    發(fā)表于 02-21 16:36

    8位驅(qū)動器和864柵極驅(qū)動器OTM8019A

    8位驅(qū)動器和864柵極驅(qū)動器OTM8019A
    發(fā)表于 08-16 11:31 ?11次下載

    具有驅(qū)動器引腳的MOSFET的工作情況

    具備驅(qū)動器引腳,可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。
    的頭像 發(fā)表于 06-29 09:28 ?1799次閱讀

    通過驅(qū)動器引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動方法

    MOSFET和IGBT等的開關(guān)損耗問題,那就是帶有驅(qū)動器引腳(所謂的開爾文
    發(fā)表于 02-09 10:19 ?1408次閱讀
    <b class='flag-5'>通過</b><b class='flag-5'>驅(qū)動器</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>引腳</b><b class='flag-5'>改善</b><b class='flag-5'>開關(guān)損耗</b>-傳統(tǒng)的MOSFET<b class='flag-5'>驅(qū)動</b>方法

    通過驅(qū)動器引腳改善開關(guān)損耗-有驅(qū)動器引腳的封裝

    通過驅(qū)動器引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點?目前R
    的頭像 發(fā)表于 02-09 10:19 ?1175次閱讀
    <b class='flag-5'>通過</b><b class='flag-5'>驅(qū)動器</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>引腳</b><b class='flag-5'>改善</b><b class='flag-5'>開關(guān)損耗</b>-有<b class='flag-5'>驅(qū)動器</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>引腳</b>的封裝

    低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為

    通過驅(qū)動器引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點?具有
    發(fā)表于 02-09 10:19 ?797次閱讀
    低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為

    通過驅(qū)動器引腳改善開關(guān)損耗-電路板布線布局相關(guān)的注意事項

    本文的關(guān)鍵要點?由于具有驅(qū)動器引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動器
    的頭像 發(fā)表于 02-09 10:19 ?884次閱讀
    <b class='flag-5'>通過</b><b class='flag-5'>驅(qū)動器</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>引腳</b><b class='flag-5'>改善</b><b class='flag-5'>開關(guān)損耗</b>-電路板布線布局相關(guān)的注意事項

    通過驅(qū)動器引腳開關(guān)損耗降低約35%

    -接下來,請您介紹一下驅(qū)動器引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先,能否請您對使用了驅(qū)動器
    的頭像 發(fā)表于 02-16 09:47 ?971次閱讀
    <b class='flag-5'>通過</b><b class='flag-5'>驅(qū)動器</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>引腳</b>將<b class='flag-5'>開關(guān)損耗</b>降低約35%

    驅(qū)動器引腳效果:雙脈沖測試比較

    驅(qū)動器引腳效果:雙脈沖測試比較
    的頭像 發(fā)表于 12-05 16:20 ?631次閱讀
    <b class='flag-5'>驅(qū)動器</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>引腳</b>的<b class='flag-5'>效果</b>:雙脈沖測試比較