我們的1-Wire 1Kb EEPROM芯片產(chǎn)品組合包括DS2431和DS28E07。兩種設(shè)備在功能方面非常相似，都有四個(gè) 256 位的內(nèi)存頁。它們實(shí)現(xiàn)相同的命令和內(nèi)存結(jié)構(gòu)。

DS2431 與 DS28E07

但是，DS2431和DS28E07之間有1個(gè)參數(shù)差異，如下表所示。（表<>）

表 1.DS2431和DS28E07之間的差異總結(jié)

讓我們更詳細(xì)地了解這些差異。

1-Wire上拉電壓 （VPUP)

DS28E07的最小電壓比DS0高2.2431V，可能會(huì)影響工作電壓低于3V的應(yīng)用。

寫零低時(shí)間 （tW0L)

DS2431的最短時(shí)間為52.1μs，DS28E07的最短時(shí)間為60μs。DS9097U 和 DS9490 等傳統(tǒng)適配器與 DS28E07 不兼容。

恢復(fù)時(shí)間 （tREC)

DS28E07在過驅(qū)速度下的最短恢復(fù)時(shí)間比DS1長2431us。使用過載速度時(shí)，應(yīng)用程序的時(shí)序配置可能需要更改。

編程電流（IPROG)

DS28E07的較高編程電流可能需要更硬的1-Wire上拉電阻或使用強(qiáng)上拉電阻。

編程時(shí)間 （tPROG)

DS28E07的編程時(shí)間稍長，為12ms，可能需要固件更新才能滿足這一要求。

寫入/擦除周期 （NCY)

DS2431在25C時(shí)的最小寫/擦除周期為200，000次，在85C時(shí)為50，000次周期，而DS28E07在25C和85C時(shí)的最小寫入/擦除周期為10，000次。如果您需要超過 10，000 個(gè)寫入/擦除周期，這可能會(huì)對您的應(yīng)用程序產(chǎn)生影響。

數(shù)據(jù)保留 （tDR)

DS28E07的數(shù)據(jù)保留明顯低于DS2431。如果內(nèi)存保留要求不足，這可能會(huì)對應(yīng)用程序產(chǎn)生影響。

Package

DS2431采用TO-92、TSOC、2SFN、TDFN-EP和UCSPR封裝，而DS28E07僅采用TO-92、TSOC和TDFN-EP封裝。如果您的應(yīng)用需要DS28E07中沒有的封裝，這可能會(huì)產(chǎn)生影響。

總之，如果應(yīng)用允許，您可以輕松地在DS2431和DS28E07之間切換。

審核編輯：郭婷