LT8652S是一款雙通道、同步、單芯片、降壓型穩壓器，具有3 V至18 V輸入范圍。它可以從兩個通道提供高達 8.5 A 的連續電流，并支持每個通道高達 12 A 的負載。它具有峰值電流模式控制，最小導通時間極低，僅為20 ns，即使在高開關頻率下也能實現高降壓比。快速、干凈、低過沖開關邊沿可在高開關頻率下實現高效率操作，從而實現較小的整體解決方案尺寸。

LT8652S可實現低EMI和小解決方案尺寸，很少有解決方案能夠實現這種組合。它采用專有的靜音開關 2 架構，可將 EMI 降至最低，同時在高開關頻率下提供高效率。在這種架構中，旁路電容被引入封裝中，這樣，高di/dt環路在出廠時被設置為優化的布局。宣傳的EMI性能很容易實現，因為解決方案對應用布局不敏感。LT8652S是一款近乎交鑰匙的解決方案，適用于噪聲敏感型應用和環境。?

對于電池供電應用，輕負載和空載空閑時的電流消耗是一個關鍵參數，因為最小化此電流可保持電池運行時間。空閑條件是許多應用程序花費大部分時間的地方。LT8652S在突發模式下具有16 μA超低靜態電流，可盡可能延長電池壽命。集成的頂部和底部 N 溝道 MOSFET 有助于實現令人印象深刻的輕負載效率。LT8652S 還包括強制連續模式，該模式可在整個輸出負載范圍內控制頻率諧波，并具有擴頻操作以進一步降低 EMI 輻射。?

LT8652S 提供內部和外部補償選項。內部補償通過最大限度地減少外部元件來產生更小的解決方案。通過 VC 引腳進行外部補償可在高開關頻率下實現快速瞬態響應。VC 引腳還簡化了通道之間的均流，以實現并行、單輸出操作。CLKOUT 和 SYNC 引腳能夠同步其他 LT8652S，以進一步擴展電流能力。為了確保低電壓、高電流應用的負載處有嚴格的輸出電壓調節，LT8652S 具有差分輸出電壓檢測功能，該功能允許開爾文連接用于輸出電壓檢測和直接從輸出電容器進行反饋。

在一些大電流應用中，遙測和診斷需要輸出電流信息。可能需要根據工作溫度限制或降低最大輸出電流，以防止損壞負載。LT8652S 的 IMON 引腳可用于監視和減小負載電流。基于負載或基于電路板溫度的降額可通過使用從IMON到GND的正溫度系數熱敏電阻進行編程。 LT8652S可以通過比較IMON引腳電壓與內部1 V基準電壓源來有效控制負載或電路板溫度。當IMON降至1 V以下時，沒有影響。

電路描述和功能

3.6 V至18 V輸入至3.3 V/8.5 A和1.2 V/8.5 A，采用2 MHz開關頻率電源，如圖1所示。每個通道可提供高達 12 A 的連續負載電流。完整解決方案只需要幾個額外的元件，包括電感器和一些無源元件。圖2顯示，圖1中的電路實現了94%的峰值效率。

圖1.超低EMI輻射、基于LT8652S的雙輸出12 V至3.3 V和1.2 V同步降壓轉換器。

圖2.基于LT8652S的12 V輸入至3.3 V/1.2 V同步降壓轉換器的效率與負載電流的關系。

差分電壓檢測提供嚴格的負載調節

對于高電流應用，每英寸PCB走線都會產生顯著的壓降。對于需要非常緊輸出電壓的低電壓、高電流負載，這種壓降會導致嚴重的問題。LT8652S具有差分輸出電壓檢測功能，允許客戶建立開爾文連接，用于輸出電壓檢測和直接從輸出電容器的反饋。它可以校正高達±300 mV的輸出接地線電位。圖3顯示了使用差分檢測功能對圖1的兩個通道的負載調整率。

圖3.負載調整率和 CVCC 運行性能。

高開關頻率，具有超低EMI輻射和改進的熱性能

EMI/EMC合規性已成為許多電子環境中的一個重大問題。憑借集成的MOSFET、先進的工藝技術和高達3 MHz的工作頻率能力，LT8652S可以實現快速、干凈、低過沖的開關邊沿，從而在高開關頻率下實現高效率操作，從而實現較小的整體解決方案尺寸。憑借領先的靜音開關 2 技術和集成熱回路電容，LT8652S 可同時提供頂級 EMI 性能并降低開關損耗。開關頻率的擴頻操作也有助于通過EMI測試。集成的熱回路電容使電路對電路板布局和層不敏感。圖4和圖5顯示了圖22中應用的CISPR 25和CISPR 5 1類EMI性能。

圖4.CISPR 22輻射了圖1所示電路的EMI性能。

圖5.CISPR 25 5 類輻射 EMI 性能如圖 1 所示電路。

結論

LT8652S是一款易于使用的單片式降壓型穩壓器，具有集成功率MOSFET和內置補償電路。它針對具有高降壓比、高負載電流和低 EMI 噪聲要求的應用進行了優化。16 μA靜態電流和突發模式操作選項使其成為電池供電降壓轉換器的完美解決方案，可顯著延長電池待機時間。其 300 kHz 至 3 MHz 開關頻率范圍使其適用于大多數工業和汽車應用。集成MOSFET及其可用的3 MHz開關頻率可最大限度地減小最終解決方案尺寸。CISPR 22和CISPR 25結果表明其輻射EMI性能符合最嚴格的EMI標準。最后，LT2S的靜音開關8652架構使其性能不受布局變化和更新的影響，從而簡化了電路板設計過程。

審核編輯：郭婷