為確保正確運(yùn)行，大多數(shù)基于微處理器的系統(tǒng)都需要在上電和關(guān)斷期間以及進(jìn)入或退出關(guān)斷或休眠模式時(shí)進(jìn)行監(jiān)控。監(jiān)控器可能僅提供上電復(fù)位，也可能提供附加功能，例如備用電池管理、存儲(chǔ)器寫(xiě)入保護(hù)、低線預(yù)警或軟件看門(mén)狗（圖1）。

圖1.功能豐富的μP監(jiān)控器（IC1）借助μP本身，在這個(gè)典型的應(yīng)用電路中執(zhí)行各種功能。

通過(guò)選擇眾多可用的微處理器 （μP） 監(jiān)控器 IC（也稱為上電復(fù)位、電源良好電路、復(fù)位電路等）之一，可以同時(shí)或以各種組合方式獲得這些功能。以下討論可幫助您選擇最適合您應(yīng)用的方法，并為許多常見(jiàn)的μP監(jiān)督問(wèn)題提供解決方案。

首先，確定Vcc將發(fā)出復(fù)位的閾值電壓。（RESET的置位在電源電壓超出容差時(shí)阻止μP操作。典型的上電復(fù)位電路由基準(zhǔn)電壓源、比較器和定時(shí)器組成。比較基準(zhǔn)電壓與上升的V電壓抄送（通過(guò)分壓器）使比較器能夠在 V 時(shí)進(jìn)行輸出轉(zhuǎn)換抄送超過(guò)閾值 （VRST） 由分隔線設(shè)置。此轉(zhuǎn)換會(huì)觸發(fā)定時(shí)器，定時(shí)器根據(jù)需要保持復(fù)位，以防止軟件執(zhí)行，直到系統(tǒng)振蕩器啟動(dòng)并穩(wěn)定下來(lái)。

當(dāng) Vcc低于 VRST，主管再次發(fā)出復(fù)位并保持它，只要 V抄送仍低于 VRST.對(duì)于某些微控制器（μC），建議使用簡(jiǎn)單的RC電路來(lái)定時(shí)此上電復(fù)位;其他器件在μC芯片上提供復(fù)位電路。然而，這些方法假設(shè)電源電壓行為是可預(yù)測(cè)的。它們不能防止由于掉電或更重要的是，在“掉電”期間可能發(fā)生的代碼執(zhí)行錯(cuò)誤，其中 V抄送可能會(huì)在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)略微脫離監(jiān)管。監(jiān)控IC對(duì)于這些關(guān)斷和掉電條件最有價(jià)值。

影響閾值的因素包括 Vcc上的公差、系統(tǒng)IC允許的最小和最大電源電壓，以及可能需要為這些變量的最壞情況組合指定設(shè)計(jì)。對(duì)于許多系統(tǒng)，復(fù)位功能并非旨在涵蓋所有可能的條件，包括溫度范圍內(nèi)的最壞情況組合。例如，系統(tǒng)可能包括僅指定為4.75V（最小值）的IC，但取決于最小/最大跳閘門(mén)限為4.5V/4.75V的監(jiān)控器。在這種情況下，主管僅在 Vcc之后斷言重置已降至 IC 工作保證的最低電壓以下。

另一種方法是在4.75V和（可能）4.85V之間選擇一個(gè)復(fù)位門(mén)限。但是，這些值可能允許在需要之前進(jìn)行重置。通常，您必須決定是否可以容忍較低的閾值，以便在較低電壓下獲得工作時(shí)間;或者與更高閾值相關(guān)的額外費(fèi)用和減少的運(yùn)行時(shí)間是否是為了提高準(zhǔn)確性而進(jìn)行的公平交易。監(jiān)控器IC現(xiàn)在的復(fù)位閾值容差高達(dá)±1%（圖2）。

圖2.這三款I(lǐng)C提供不同的監(jiān)控功能組合，但每款I(lǐng)C都監(jiān)控V抄送準(zhǔn)確率為 ±1%。

監(jiān)控多個(gè)電源

許多應(yīng)用需要5V和3.3V電源，如果其中任何一個(gè)失去穩(wěn)壓，通常必須復(fù)位整個(gè)系統(tǒng)。您還需要適當(dāng)?shù)纳想姀?fù)位持續(xù)時(shí)間，以確保在上電期間正常運(yùn)行。具有電源故障比較器和手動(dòng)復(fù)位輸入（/MR）的監(jiān)控IC為這些問(wèn)題提供了經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。

如果選擇內(nèi)部門(mén)限設(shè)置為監(jiān)控 3.3V 的監(jiān)控 IC，則可以使用非專(zhuān)用電源故障比較器來(lái)監(jiān)控 5V 電源：只需將電源失效比較器輸出 （PFO） 路由回/MR 輸入（圖 3）。當(dāng)任一電源失去穩(wěn)壓時(shí)，這些連接使IC置位/復(fù)位。IC由3.3V供電，因此/RESET輸出在工作時(shí)擺幅為3.3V。該級(jí)別滿足 VIH大多數(shù) 5V 處理器的要求，因此/RESET輸出通常可以驅(qū)動(dòng)3V和5V處理器。如有必要，您可以通過(guò)二極管OR連接將其他系統(tǒng)復(fù)位信號(hào)路由到/MR輸入。（即使沒(méi)有這些連接，也需要從/MR輸入到PFO輸出的二極管。

圖3.如圖所示配置，該監(jiān)控IC可監(jiān)視3.3V和5V電源。

停機(jī)例程預(yù)警

關(guān)鍵系統(tǒng)通常需要在電源電壓（V抄送） 開(kāi)始下降。該警告允許μP有時(shí)間存儲(chǔ)重要數(shù)據(jù)，并在V下降之前執(zhí)行“內(nèi)務(wù)”工作抄送導(dǎo)致管理引擎發(fā)出硬重置。如果原始直流輸入電壓可訪問(wèn)，則可以使用欠壓或電源故障比較器對(duì)其進(jìn)行監(jiān)視，該比較器反過(guò)來(lái)置位處理器中斷以指示未穩(wěn)壓電源何時(shí)崩潰。

如果您無(wú)法訪問(wèn)此原始輸入電壓，則必須在監(jiān)視同一穩(wěn)壓電源的同時(shí)生成預(yù)警和復(fù)位信號(hào)。您可以對(duì)低線信號(hào)使用單個(gè)閾值檢波器，對(duì)復(fù)位信號(hào)使用延遲定時(shí)器，也可以使用兩個(gè)不同的比較器，一個(gè)用于低線一個(gè)用于 tRST.無(wú)論哪種方式，您都必須確保 V抄送保持足夠長(zhǎng)的有效期，以完成低線信號(hào)中斷后的關(guān)斷例程。

完成關(guān)機(jī)/備份例程所需的時(shí)間因應(yīng)用而異，V 的下降率也是如此抄送.因此，您必須根據(jù)應(yīng)用將延遲從低線調(diào)整為復(fù)位。雙閾值方法比延時(shí)復(fù)位方法更靈活。通過(guò)將低線閾值調(diào)整到復(fù)位閾值以上數(shù)十毫伏并調(diào)整V抄送下降速率 為了符合關(guān)斷例程的時(shí)間要求，可以使一個(gè)IC服務(wù)于許多不同的應(yīng)用。

在大多數(shù)電池供電的便攜式系統(tǒng)中，電池中的備用能量提供了充足的時(shí)間，以便在低線警告和復(fù)位之間的時(shí)間間隔內(nèi)完成關(guān)斷程序。如果 V抄送下降時(shí)間很快，如正常工作時(shí)打開(kāi)高邊開(kāi)關(guān)時(shí)，在開(kāi)關(guān)負(fù)載側(cè)增加電容以減緩V的下降抄送并提供執(zhí)行關(guān)機(jī)例程的時(shí)間。例如，在MAX814監(jiān)控器中，電源故障比較器的延遲（小于50μs）可能會(huì)影響也可能不會(huì)影響您的應(yīng)用。

首先，計(jì)算關(guān)斷例程所需的最壞情況時(shí)間。使用此值，最差情況下的負(fù)載電流和最小低線至復(fù)位閾值差（VLR（分鐘）），計(jì)算復(fù)位發(fā)生前完成關(guān)斷例程所需的電容：

我在哪里負(fù)荷是從電容器中排出的電流，VLR（分鐘）是低線閾值和復(fù)位閾值之間的最小差值，并且SHDN是有序關(guān)斷所需的時(shí)間，包括復(fù)位比較器的傳播延遲。

將低線閾值置于復(fù)位閾值以上可能會(huì)因噪聲而產(chǎn)生錯(cuò)誤的低線觸發(fā)。為了克服這個(gè)問(wèn)題，通過(guò)適當(dāng)?shù)呐月窞V除噪聲，并在關(guān)斷程序完成后使用軟件監(jiān)控低線中斷。當(dāng)處理器從低壓線比較器接收到中斷時(shí)，它會(huì)完成備份/關(guān)斷例程，然后返回監(jiān)視中斷。如果線路或負(fù)載瞬態(tài)導(dǎo)致低壓線路相對(duì)較快地返回高電平，則軟件會(huì)通過(guò)重新加載存儲(chǔ)的參數(shù)來(lái)啟動(dòng)“熱”啟動(dòng)。如果發(fā)生電源故障，低線信號(hào)后跟復(fù)位信號(hào)，并開(kāi)始正常的備用電池工作模式。

DC-DC 升壓電路延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)間

如果備份/關(guān)斷例程需要的時(shí)間超過(guò)存儲(chǔ)電容器的合理時(shí)間，則可以使用 DC-DC 轉(zhuǎn)換器來(lái)維持 Vcc當(dāng)關(guān)機(jī)例程正在進(jìn)行時(shí)。備份完成后，μP 可以關(guān)斷 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

例如，在圖4中，IC2是一個(gè)升壓轉(zhuǎn)換器，當(dāng)5V主電源發(fā)生故障時(shí)，它為系統(tǒng)和μP監(jiān)控器（IC3）提供5V電壓。在這種電源故障開(kāi)始時(shí)，當(dāng)主電源降至4.65V以下時(shí)，IC1關(guān)斷Q1，使IC2退出關(guān)斷狀態(tài)，并中斷μP。未達(dá)到復(fù)位閾值，因此不會(huì)發(fā)出對(duì)μP的復(fù)位。當(dāng)μP完成其關(guān)斷程序時(shí)，只需將IC2再次拉入關(guān)斷狀態(tài)，系統(tǒng)進(jìn)入正常的電池備份模式。

圖4.V 的威脅抄送損耗導(dǎo)致升壓轉(zhuǎn)換器 （IC3） 導(dǎo)通并恢復(fù) V抄送到其標(biāo)稱水平。

升壓轉(zhuǎn)換器可提供高達(dá) 100mA 的電流，同時(shí)由已耗盡至 2.5V 的鋰電池供電。如果需要，您可以為 RAM 備份和升壓轉(zhuǎn)換器提供單獨(dú)的電池。

防止錯(cuò)誤重置

監(jiān)控電路不得響應(yīng)系統(tǒng)噪聲或V發(fā)出復(fù)位抄送負(fù)載瞬變。數(shù)字電源線上大約50mV的噪聲很常見(jiàn)。模塊、外設(shè)和其他子系統(tǒng)打開(kāi)或關(guān)閉時(shí)發(fā)生的負(fù)載瞬變，如果復(fù)位比較器的傳播延遲太短，可能會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重問(wèn)題。

通過(guò)選擇復(fù)位比較器傳播延遲為10μs至30μs的監(jiān)控電路，可以避免錯(cuò)誤復(fù)位。較短的傳播延遲（幾百納秒）對(duì) Vcc 做出快速反應(yīng)瞬態(tài)，因此可能會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤復(fù)位。另一方面，長(zhǎng)時(shí)間的延遲可以讓 Vcc在重置處理器之前，超出系統(tǒng) IC 的工作范圍太遠(yuǎn)。大多數(shù) 5V 應(yīng)用包括足夠的電容以降低 Vcc下降率，使得復(fù)位發(fā)生在 Vcc低于 IC 電氣特性中規(guī)定的最低水平。

備用電池

對(duì)于需要非易失性存儲(chǔ)器的關(guān)鍵系統(tǒng)，設(shè)計(jì)人員可以選擇可擦除/可編程存儲(chǔ)器或帶備用電池的CMOS RAM。EEPROM和閃存的額定值不僅包括存儲(chǔ)器容量，還取決于它們可以經(jīng)歷的寫(xiě)入周期數(shù)。最常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器包括一個(gè)開(kāi)關(guān)，用于將CMOS RAM連接到鋰備用電池或Vcc，以較高者為準(zhǔn)。

大電容器（約0.5F）提供了一種提供短期內(nèi)存?zhèn)浞莸某Ｓ梅椒ā７Q為超級(jí)電容?或最大電容?，這些電容器從 V 充電抄送正常工作期間通過(guò)二極管（圖5）。充電電流受電容器內(nèi)部串聯(lián)電阻的限制，該電阻相對(duì)較高。內(nèi)存從 V 切換抄送到電容器時(shí) V抄送折疊到IC的復(fù)位閾值以下。可用的備份時(shí)間取決于進(jìn)入RAM和監(jiān)控器IC的靜態(tài)電流水平，以及電容器本身的自放電泄漏。對(duì)于許多在備份模式下僅消耗數(shù)十微安電流的系統(tǒng)，這種備份電容器可以保持?jǐn)?shù)小時(shí)的內(nèi)存內(nèi)容。例如，Maxim監(jiān)控器的1μA靜態(tài)電流通常微不足道。

圖5.一個(gè)非常大的電容器（在本例中為0.47F）可以用作低靜態(tài)電流系統(tǒng)中的備用電池。

3V 應(yīng)用中的備用電池切換帶來(lái)了挑戰(zhàn)：如何確定何時(shí)在 3.3V Vcc之間切換和3.6V鋰備份電池？一種方法是定義一個(gè)高于CMOS RAM最小待機(jī)電壓的接地參考電壓。因此，V抄送為內(nèi)存供電，直到它下降到略高于 2V 的電壓;然后將RAM切換到備用電池（圖6）。

圖6.當(dāng) V抄送吸收至略高于 2V 的電壓，該系統(tǒng)將 CMOS RAM 從 V 切換抄送到備用電池。

特殊情況

為了節(jié)省電池能量，電池供電便攜式設(shè)備的設(shè)計(jì)人員通常使用80CL51 μC的省電模式。如果CMOS存儲(chǔ)器內(nèi)容的保存至關(guān)重要，IC1的/低線輸出（圖6）會(huì)產(chǎn)生中斷。當(dāng)主電池電壓低到足以導(dǎo)致V時(shí)，此中斷信號(hào)可以觸發(fā)關(guān)斷程序抄送失落于容忍度。RAM 內(nèi)容物通過(guò)電池中剩余的任何能量保持活力。

當(dāng)μC處于省電模式且監(jiān)控器的RESET直接連接到μC的RST端子時(shí)，Vcc低于重置閾值將導(dǎo)致重置變高。這反過(guò)來(lái)又喚醒μC并將其置于運(yùn)行模式，將其靜態(tài)電流從大約100μA增加到6mA。電池電壓繼續(xù)下降，Vcc保持在閾值以下，因此6mA將耗盡電池電量，從而大大縮短可用的備份時(shí)間。

只需將/低電平有效和復(fù)位與AND門(mén)相結(jié)合（圖7），即可確保IC3的RST僅在復(fù)位超時(shí)周期內(nèi)驅(qū)動(dòng)為高電平（而不是當(dāng)Vcc時(shí)正在下降）。換句話說(shuō)，RST 在 V 之后變高抄送已恢復(fù)（通過(guò)為電池充電或安裝新電池）并重新越過(guò)低線閾值。因此，AND門(mén)允許休眠控制器保持休眠狀態(tài)。

圖7.AND 柵極通過(guò)防止微控制器操作中不必要的轉(zhuǎn)換（從睡眠模式到更高電流的空閑模式）來(lái)節(jié)省電池能量。

與 V抄送在其正常工作范圍內(nèi)，RESET為低電平，/低電平有效為高電平。當(dāng) V抄送降至低電平線門(mén)限以下（通常比復(fù)位門(mén)限高 45mV），/低電平有效變?yōu)榈碗娖剑?80CL51 發(fā)出關(guān)斷程序信號(hào)。重置斷言當(dāng) V抄送遇到復(fù)位門(mén)限，但/低電平有效迫使AND柵極輸出保持低電平。

上電時(shí)，/LOWLINE保持低電平，因此RST保持低電平，直到V抄送越過(guò)低線閾值。然后，RESET在重置超時(shí)周期內(nèi)傳播到RST終端。因此，80CL51 僅在 V抄送有效。

在此應(yīng)用中，還希望能夠檢測(cè)電池在睡眠期間的任何時(shí)間是否已放電到安全RAM備份電壓以下。使用此信息，系統(tǒng)決定是根據(jù) RAM 的內(nèi)容執(zhí)行“熱啟動(dòng)”，還是從頭開(kāi)始執(zhí)行“冷啟動(dòng)”，因?yàn)榈碗姵仉妷嚎赡芤褤p壞 RAM 數(shù)據(jù)。IC1的BATT端子（引腳16）告訴μC哪種導(dǎo)體合適。

IC1有一個(gè)低電池電量比較器，通常指示連接到其BATT端子的備用電池的狀態(tài)。此比較器輸出（BATT OK）未鎖存。圖 7 中的應(yīng)用沒(méi)有備用電池，因此您可以使用 BATT 鎖存 BATT OK 的狀態(tài)。 只需將 BATT 連接到 80CL51 上的可用 I/O 引腳，并通過(guò) 10kΩ 電阻連接到 BATT OK 端子。

為了設(shè)置為正常工作，μC將I/O線路脈沖至高電平約30μs，然后將線路配置為高阻抗輸入。IC1中的比較器將BATT OK驅(qū)動(dòng)為高電平，從而將BATT拉高并在該條件下鎖定。比較器由V供電抄送，所以它在高狀態(tài)下的輸出接近V抄送.如果 Vcc在休眠期間的任何時(shí)候都低至 2.25V，比較器輸出捕捉到低電平并將 BATT 拉低，將其鎖存于低電平。Vcc之后恢復(fù)（通過(guò)為主電池充電或更換主電池）μC 在繼續(xù)之前輪詢 BATT：高表示熱啟動(dòng)，低表示冷啟動(dòng)。

摩托羅拉 68HC11 等 μC 具有雙向復(fù)位引腳，可能會(huì)與監(jiān)控 IC 的/復(fù)位有效抗?fàn)帯＠纾绻O(jiān)控器復(fù)位為高電平，而μC試圖將其拉低，則結(jié)果可能是不確定的邏輯電平。圖8的連接允許監(jiān)控器和μC對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行有效的復(fù)位，并確保復(fù)位脈沖有足夠的持續(xù)時(shí)間（μC復(fù)位對(duì)于系統(tǒng)中的某些器件來(lái)說(shuō)可能太短）。

圖8.這些連接允許對(duì)緩沖復(fù)位線路進(jìn)行雙重控制，并延長(zhǎng)μP發(fā)出的復(fù)位持續(xù)時(shí)間。

該電容支持從監(jiān)控器和μC復(fù)位，以將/MR拉低電平。/MR變?yōu)榈碗娖皆诒O(jiān)控器內(nèi)啟動(dòng)200ms超時(shí)，在其/RESET端子（引腳2）上產(chǎn)生200ms最小脈沖，該脈沖覆蓋μC/RESET，并通過(guò)緩沖器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)復(fù)位線路。當(dāng)電容充電時(shí)，/MR返回高電平。當(dāng)μC/RESET在超時(shí)延遲后解除置位時(shí)，電容通過(guò)/MR上拉電阻和一個(gè)內(nèi)部ESD保護(hù)二極管放電。

審核編輯：郭婷