由于磁場將增加靠近電極表面附近的電子密度，因此增強磁場也能降低直流偏壓。

劇烈的離子轟擊將產生大量的熱能，如果晶圓沒有適當冷卻，則晶圓的溫度就會很高。進行圖形化刻蝕前，晶圓被涂上一層薄的光刻膠作為圖形化掩膜。如果晶圓的溫度超過150℃,光刻膠將產生網狀結構。所以進行圖形化刻蝕的反應室必須有冷卻系統，避免光刻膠受熱而產生網狀結構。由于化學刻蝕速率對晶圓的溫度很敏感，所以有些整面全區(qū)刻蝕的反應室（如自旋涂敷氧化硅回蝕反應室）也需要晶圓冷卻系統調節(jié)晶圓的溫度并控制刻蝕速率。因為刻蝕必須在低壓下進行，然而低壓不利于熱能轉移，所以通常將加壓的氮氣注入晶圓的背面，將熱能從晶圓轉移到晶圓的冷卻臺上（也稱夾盤、陰極等）。這時需要夾環(huán)或靜電夾盤（E夾盤），以防止背面高壓氨氣將晶圓從冷卻臺上吹走。気有僅次于氫的高熱傳導率，因此在晶圓和晶圓冷卻臺之間提供了一條傳導熱能的路徑。

電介質薄膜經常使用氧氣濺射刻蝕反應室進行某些處理，例如在間隙填充前首先在間隙邊緣形成傾斜的側壁，以及薄膜表面的平坦化。由于濺射刻蝕速率對晶圓的溫度不敏感，所以并不需要帶有夾環(huán)或E夾盤的氮氣背面冷卻系統。

遙控等離子體工藝

有些工藝過程只需要自由基增強化學反應，并且避免離子轟擊引發(fā)等離子體誘生損傷。遙控等離子體系統就是為了達到這個需求產生的。

下圖顯示了一個遙控等離子體系統。等離子體在遙控室中利用微波或射頻功率產生,等離子體中產生的自由基再流入反應室用于刻蝕或沉積。

去光刻膠

遙控等離子體去光刻膠利用O2和H20在刻蝕后立即將光刻膠除去。如下圖所示，遙控等離子體去光刻膠系統能輕易整合到刻蝕系統中。晶圓將停留在相同的主平臺內，依序執(zhí)行臨場蝕刻/剝除過程。晶圓接觸到大氣之前必須先將光刻膠和殘余的刻蝕劑剝除，否則這些殘留的刻蝕劑將和空氣中的濕氣反應而在晶圓表面產生腐蝕，因此臨場去光刻膠能夠增加產量和提高產品的成品率。

遙控等離子體刻蝕

有些刻蝕并不需要非等向性刻蝕，例如硅的局部氧化（LOCOS）和淺溝槽隔離（STI）中氮化物的剝除、酒杯狀接觸窗孔和其他工藝等，因此這些工藝也不會用到離子轟擊。遙控等離子體刻蝕系統屬于干式化學刻蝕系統，在這些應用上和濕式刻蝕相互競爭。以前的IC生產曾傾向于用干式刻蝕取代所有的濕式刻蝕，但卻從來沒有實現。事實上，由于先進的IC芯片生產工藝中廣泛使用CMP,所以實現這一點幾乎是完全不可能的。

遙控等離子體清潔

由于反應室中的等離子體總會產生自由基和離子轟擊，而離子轟擊將損壞室內的零件進而增加生產成本，另一個問題是用來清除凈化CVD反應室的碳氟氣體，如CF4,C2F6及C3F8會造成全球溫室效應和臭氧消耗，所以一般會限制這些氣體的使用。遙控等離子體清潔就是為了解決這些問題。

審核編輯 ：李倩