WAYON維安-超低鉗位電壓EOS防護產(chǎn)品引領(lǐng)者由一級代理KOYUELEC光與電子提供技術(shù)方案應用

瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)被廣泛應用于各類電子產(chǎn)品中，相較于數(shù)據(jù)端口低頻次的靜電事件，在智能手機快充極大普及和充電應用場景多樣化的今天，VBUS及VBAT端口在電源插拔的過程中不斷受到浪涌電流的沖擊，元器件失效案例不斷增多。EOS防護TVS需求大幅增長，指標要求逐漸提高，要求TVS迅速將擊穿方向和正向?qū)ǚ较虻牡拇罄擞颗月返降氐耐瑫r為后級提供低鉗位電壓，保證主控IC不受損傷，這就要求TVS不斷地進行技術(shù)革新。

WAYON首創(chuàng)的單向驟回特性TVS產(chǎn)品具有通流能力強，鉗位電壓低的特性，對充電端口內(nèi)部元器件有很好的保護作用。VBUS端口工作電壓12V到30V不等，VBAT端的輸出工作電壓一般為4.35V~4.85V，不同的電池模塊方案及其不同的測試應力條件下，需要提供能適應各種電源電壓，以及配合OVP保護方案的TVS產(chǎn)品。而電池供電的音頻、射頻等PA耐受過電壓能力較低，還需要TVS在電池輸出過電壓時有近似理想二極管的鉗位電壓。

WS**P4N*及WS4.5DP*系列產(chǎn)品充分利用縱向NPN結(jié)構(gòu)穿通擊穿狀態(tài)通流大、鉗位電壓低的特點與突變PN結(jié)正向?qū)ㄣQ位電壓低的優(yōu)勢相結(jié)合，構(gòu)成單向負阻結(jié)構(gòu)，既能提升正向浪涌時擊穿方向防護能力，又能兼顧負向浪涌。產(chǎn)品芯片工藝中，通過大束流注入、超高溫退火、深槽隔離、精細研磨至薄片、薄片背面高能注入、快速退火及特殊的降低接觸勢壘的金屬化工藝，逐步優(yōu)化芯片設(shè)計提高單位面積的通流能力。另一方面，在電子產(chǎn)品小型化的趨勢下，應用新型封裝技術(shù)增大芯片在封裝體的占比，不斷將產(chǎn)品小型化，在性能滿足客戶指標要求的情況下，將2.0mm*2.0mm外形縮小到1.6mm*1.6mm，將1.6mm*1.0mm外形縮小到1.0mm*0.6mm，以適應高集成度、小巧便攜產(chǎn)品的需求。

WAYON VBUS產(chǎn)品list

WAYON VBUS新產(chǎn)品list

WAYON VBAT產(chǎn)品list

WAYON VBAT新產(chǎn)品list

WAYON單向驟回系列產(chǎn)品目前已累計出貨量5億只，失效率小于10ppm。

審核編輯黃昊宇