電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）近日，上交所官網(wǎng)顯示，存儲芯片賽道上又一家企業(yè)，華瀾微科創(chuàng)板IPO獲受理。此前，得一微電子、聯(lián)蕓科技等紛紛獲受理。



華瀾微本次擬公開發(fā)行不超過5000萬股，擬募集資金6.57億元。募資規(guī)模上，華瀾微要比同行企業(yè)聯(lián)蕓科技要少。跟聯(lián)蕓科技不同的是，華瀾微是從新三板退市后，沖刺科創(chuàng)板上市的。

此次華瀾微的募資，主要用于新一代硬盤陣列控制器芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、高性能企業(yè)級SAS SSD控制器芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目等投入。

我們看到，2022年以來已有十幾家存儲相關(guān)廠商開展IPO上市工作，包括恒爍股份、江波龍、百維存儲、聯(lián)蕓科技、博雅科技、得一微電子、芯天下等等。其中恒爍股份、江波龍、佰維存儲IPO進(jìn)展迅速，已率先一步掛牌上市。存儲行業(yè)沖刺IPO上市，在今年變得異常熱鬧。

華瀾微鉆研自主可控固態(tài)硬盤突圍

華瀾微，由美國硅谷歸來的“技術(shù)老將”駱建軍，于2011年在杭州創(chuàng)立。值得一提的是，創(chuàng)始人駱建軍博士深耕集成電路設(shè)計和應(yīng)用三十余年，是計算機架構(gòu)、數(shù)據(jù)存儲及數(shù)據(jù)安全理論研究和產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域的技術(shù)型領(lǐng)軍人物。

駱建軍帶領(lǐng)團隊，鉆研自主可控固態(tài)硬盤領(lǐng)域。成立后第一年，便快速推出自研的第一顆固態(tài)硬盤主控芯片S681。

2013年，華瀾微固態(tài)硬盤（SSD）控制器上系統(tǒng)芯片（SoC）被鑒定為“我國第一顆自主設(shè)計的多CPU架構(gòu)的固態(tài)硬盤控制器芯片”。

2014年，華瀾微又推出單PCB 5TB的2.5吋標(biāo)準(zhǔn)固態(tài)硬盤，這是當(dāng)時行業(yè)內(nèi)單盤密度最高、容量最大的SSD。在技術(shù)上，華瀾微采用了自己開發(fā)的eRAID微陣列技術(shù)，并給芯片加入了國家加密算法SM4。

2017年，華瀾微又推出了面向消費領(lǐng)域的INIC6081和INIC6080兩顆主控芯片。

2018年4月，華瀾微SATA3固態(tài)硬盤（SSD）控制器單月出貨突破300K。同年6月，華瀾微SATA3固態(tài)硬盤（SSD）控制器與紫光存儲閃存芯片結(jié)合，實現(xiàn)從控制器到存儲顆粒的全國產(chǎn)化固態(tài)硬盤。

目前，華瀾微正積極研發(fā)企業(yè)級固態(tài)硬盤控制器芯片INIC8081、INIC7081，進(jìn)行高端存儲領(lǐng)域的產(chǎn)品布局。

在固態(tài)存儲領(lǐng)域，華騰微的優(yōu)勢表現(xiàn)在一方面其自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化了基于多核異構(gòu)SoC架構(gòu)體系的iRAID?架構(gòu)和 eRAID?架構(gòu)，其中基于 eRAID?架構(gòu)的主控制器芯片，允許采用標(biāo)準(zhǔn)eMMC作為固態(tài)存儲單元，減少了存儲控制器芯片的引腳數(shù)，降低了芯片成本、測試成本、封裝成本等，提升了存儲模組的存儲密度。

另一方面，其自主研發(fā)固態(tài)硬盤核心部件存儲控制器芯片所需的核心IP，掌握了PCIe、SAS、SATA、PATA/IDE、USB、SD/MMC/eMMC等高速計算機總線接口技術(shù)及其集成電路IP。

營收年復(fù)合增長率43.09%，高強度研發(fā)投入

招股書顯示，2019年-2021年華瀾微營收從2.91億元增長至5.95億元，漲幅超104%，年復(fù)合增長率為43.09%。


報告期內(nèi)，華瀾微分別虧損0.22億元、1.36億元、0.92億元、0.27億元，累計虧損2.77億元。華瀾微虧損的主要原因系存儲控制器芯片技術(shù)門檻較高，具有研發(fā)投入大、研發(fā)周期長的行業(yè)特點，華瀾微研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化需要持續(xù)大規(guī)模的資金投入，而華瀾微前期經(jīng)營規(guī)模較小，不具有規(guī)模效應(yīng)，營業(yè)收入不足以覆蓋同期的成本、研發(fā)等支出。華瀾微表示，未來一段時間仍將持續(xù)進(jìn)行高強度研發(fā)投入，可能面臨持續(xù)虧損的風(fēng)險。

報告期內(nèi)，華瀾微研發(fā)投入分別為4706.67萬元、10540.58萬元、10872.97萬元、3737.76萬元，分別占營業(yè)收入的比例為16.20%、24.24%、18.28%、13.62%，高于行業(yè)平均水平，并高于已上市的江波龍和佰維存儲等企業(yè)。

截至2022年6月，華瀾微已擁有國內(nèi)外專利85項、軟件著作權(quán)100項、有效期內(nèi)的集成電路布局設(shè)計證書14項，參與制訂國家標(biāo)準(zhǔn)9項、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)3項。華瀾微構(gòu)建了包括多核SoC存儲控制器架構(gòu)技術(shù)、計算機高速接口技術(shù)、閃存高效管理技術(shù)、芯片級實時加解密技術(shù)、固態(tài)存儲模組設(shè)計平臺技術(shù)、固態(tài)存儲模組 產(chǎn)品測試平臺及量產(chǎn)工具技術(shù)等自主可控的底層核心技術(shù)體系。

華瀾微的主要產(chǎn)品包括存儲模組、存儲控制器芯片及服務(wù)、存儲系統(tǒng)及應(yīng)用。其中存儲模組貢獻(xiàn)超7成的營收，在報告期內(nèi)，該產(chǎn)品實現(xiàn)的銷售收入分別為2.43億元、3.30億元、4.43億元 、1.87億元，分別占營業(yè)收入的比例為87.37%、76.51%、79.85%、70.88%。在存儲模組業(yè)務(wù)收入中搭載自研芯片的產(chǎn)品收入分別為1864.74萬元、4937.52萬元、7106.57萬元、1232.31萬元，占比較小，但持續(xù)快速增長。


2021年存儲模組、存儲控制器芯片及服務(wù)、存儲系統(tǒng)及應(yīng)用三大板塊業(yè)務(wù)，收入分別同比增長34.13%、21.34%、5.91%，存儲模組成為增速最快的產(chǎn)品。

華瀾微的存儲產(chǎn)品主要銷售給聯(lián)想集團。招股書顯示，在報告期內(nèi)聯(lián)想集團一直是華瀾微消費級固態(tài)硬盤和移動存儲卡/盤采購量最大的客戶，銷售金額分別為1.06億元、0.81億元、1.06億元、0.31億元，分別占當(dāng)期營業(yè)收入的比例為36.54%、18.57%、17.90%、11.41%。

除此之外，阿里云 、深成泰、宇軒投資、MTA MOVING TECHNOLOGIES IN AMERICA INC.、中國電子、HONG KONG WSX TRADING INDUSTRIAL LIMITED、世健電子、興天科技、協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)、碩威智能、置富科技也曾出現(xiàn)在華瀾微的前五大客戶名單中。

募資6.57億元，研發(fā)新一代硬盤陣列控制器芯片等

此次沖刺科創(chuàng)板上市的華瀾微，擬募集6.57億元，投資以下三大項目：


為了進(jìn)一步搶占高端服務(wù)器和存儲系統(tǒng)市場，華瀾微擬投入3億募集資金，啟動新一代硬盤陣列控制器芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，研發(fā)自主知識產(chǎn)權(quán)的硬盤陣列控制器芯片（SAS HBA 硬盤陣列控制器芯片、SAS RAID硬盤陣列控制器芯片及SAS Expander硬盤整理控制器芯片），并推出高性能、高可靠、高穩(wěn)定的硬盤陣列卡（SAS HBA陣列卡、RAID陣列卡）等。

此外，高性能企業(yè)級SAS SSD控制器芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，華瀾微擬投入2億元募集資金，研發(fā)新一代高性能、高容量、高可靠性的企業(yè)級SAS SSD控制器芯片，并產(chǎn)業(yè)化推出企業(yè)級SAS SSD硬盤，以滿足未來云計算、數(shù)據(jù)中心、AI、5G網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)等企業(yè)級應(yīng)用場景持續(xù)增長的需求。

高端企業(yè)級固態(tài)硬盤主要由三星、美光、鎧俠等少數(shù)國際存儲產(chǎn)業(yè)巨頭主導(dǎo)。在數(shù)據(jù)爆炸時代，數(shù)據(jù)中心、云計算、高性能計算（HPC）等企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲需求激增，華瀾微如果未來能實現(xiàn)企業(yè)級SAS SSD量產(chǎn)將進(jìn)一步增強我國存儲產(chǎn)業(yè)的韌性。

投入1.56億元募集資金建設(shè)的研發(fā)中心，華騰微將針對新一代閃存的糾錯算法（ECC）演進(jìn)與硬件實現(xiàn)、SSD控制器片上集成的數(shù)據(jù)壓縮算法、3D NAND Flash特性與均衡算法優(yōu)化、加密算法硬件IP的架構(gòu)優(yōu)化與硬件實現(xiàn)、新一代計算機高速總線技術(shù)、嵌入式阻變存儲器（RRAM）技術(shù)、PCIe Switch技術(shù)、嵌入式微處理RISC-V的升級開發(fā)、多平臺下統(tǒng)一存儲驅(qū)動程序的新架構(gòu)進(jìn)行研究。

如果未來IPO成功，將極大幫助華瀾微在存儲領(lǐng)域的自主知識產(chǎn)權(quán)和專利技術(shù)研發(fā)，雖然目前華瀾微還在持續(xù)虧損中，但持續(xù)的高強度研發(fā)投入，存儲模組和存儲控制器芯片產(chǎn)銷規(guī)模持續(xù)增長，實現(xiàn)扭虧為盈將指日可待。