圖3對兩級電源架構和高效一體化升降壓架構進行了比較。

對于升壓（Boost）拓撲，即使通過EN關斷IC，其輸出電壓（VOUT）仍然等于輸入電壓（VIN)，除非串聯額外的開關，否則無法完全關斷后級負載。而采用MPQ8873-AEC1（這類單級升降壓（Buck-Boost）拓撲，不僅效率高、布板面積小，其輸出供電通過使能EN也完全可控。

MPQ8873-AEC1 具有內置4個MOSFET的Buck-Boost拓撲，可動態調節輸出電壓（如圖4所示）。

相比傳統電路，其外圍電路極其簡單，除必要的濾波電感電容和自舉（BST）電容外，幾乎沒有其他元件。

MPQ8873-AEC1 內部集成10mΩ/25mΩ 上管MOSFET（HS-FET）和下管MOSFET（LS-FET）。在VIN = 13.5V、VOUT = 11.5V 和負載電流 (ILOAD) = 3A 的測試條件下，其效率超過95%（如圖5所示）。

MPQ8873-AEC1 的布局能夠最小化輸入與輸出功率環路。該器件還支持頻率擴展 (FSS)功能，從而可進一步降低 EMI。圖 6 顯示了MPQ8873-AEC1的最小環路設計。

MPQ4228-C-AEC1 可以配置成USB-A或者USB-C。由于支持USB BC1.2 CDP協議，其充電口能夠在手機和汽車進行USB輸出交互的同時，提供大約10-15W左右的充電功率。

由于車機和前面板USB充電端口有一段距離，再加上手機充電線纜本身也有一段長度，真正到達手機端口的電壓相比于車機的輸出電壓可能有較大的壓差。MPQ4228-C-AEC1 具有線損補償功能，充電電流越大，MPQ4228-C-AEC1的輸出電壓越高。線損補償的斜率可以通過外置電阻設計，靈活方便。

在汽車充電端口的實際使用中，有時候會出現手機充電線纜的接頭誤插入錯誤端口的情況。MPQ4228-C-AEC1 具有VBUS/DM/DP/CC等I/O引腳的電池短路保護功能。這樣的保護功能可以避免上述事故對汽車充電IC造成損壞。

眼圖是評估USB2.0信號完整性的測試，MPQ4228-C-AEC1 具有極其出色的眼圖性能（如圖9所示）。在USB2.0 DMDP數據經過MPQ4228-C-AEC1 內部數據開關時，采用150cm的線纜，也能通過眼圖的測試。

MPQ4228-C-AEC1 提供頻率擴展（FSS）功能以提升EMI性能，其評估板能夠在不加屏蔽罩及共模電感的條件下，通過國標等級5的測試。

MPQ4228-C-AEC1 能夠通過USB-IF的相關認證，尤其是其內部獨有的過流保護（OCP）機制，能夠使器件通過Apple MFI R33認證。在進行過流瞬態脈沖測試時，即使發生短暫過流，MPQ4228-C-AEC1也能夠維持住VBUS 電壓而不至于關斷保護。