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UintedSiC銀燒結技術在碳化硅市場中獨樹一幟

UnitedSiC ? 來源:UnitedSiC ? 作者:UnitedSiC ? 2022-11-21 10:27 ? 次閱讀

在涉及電子產品,尤其是集成半導體時,體積至關重要。數十年來,行業發展一直符合摩爾定律,它預測晶體管成本會年年降低。可能有人質疑摩爾定律的準確性,但是它創造的對更小、更快、更便宜產品的需求卻不會在短期內終結。

然而,對于功率器件而言,摩爾定律并非金科玉律。確實,器件越小越好,但是功率半導體在有用的同時能有多小存在可接受的極限。這是因為它承載電流的能力與物理面積息息相關。所有半導體都有一個共同點,那就是需要將結處生成的熱量散出去。這也是一個與物理尺寸關系密切的性能表征。

隨著邏輯晶體管面積不斷減小至亞微米級尺寸,它能以更低的總體成本進行更快的運行并損耗較低的功率。事實上,晶體管的進一步集成會面臨熱密度方面的挑戰。管理基片上生成的高溫并非小事,尤其是在將數十萬晶體管集成到一個基片上時。很明顯,在這種密度下,即使微小的損耗也會快速帶來可能造成損壞的高溫。

對于功率器件,縮小面積能帶來同樣的好處,但是,由于涉及的功率電平要高得多,熱狀況會進一步降低可擴展性。此處的關鍵指標是從結到殼的熱阻,而表示這一指標的重要參數之一是結和晶粒的物理體積。除此以外,晶粒連接到殼的方式是另一個僅次于體積的相關熱阻參數,從這一方面著手,有幾種方法可以提高功率器件的整體導熱性。

一個好例子是UnitedSiC開發的利用銀燒結代替鉛基焊料來將晶粒連接到封裝的技術。在大多數情況下,鉛焊料是晶粒連接的完美方式,但是鉛焊料的導熱系數相對較低,約為0.25W/cm/°C。銀燒結的導熱系數則很高,約為1.4W/cm/°C。

采用銀燒結會顯著降低從晶粒到殼的總體熱阻,這意味著可以降低晶粒的體積而不會影響熱性能。在此情況下這一點尤其重要,因為碳化硅可以應對這種擴展。碳化硅基片幾乎各方面的表現都優于硅基片,因而功率器件能夠以較小的晶粒面積承載相同的電流。眾所周知,晶粒越小成本越低,因此,雖然碳化硅基片的價格比硅基片高,但是總體擁有成本卻較低。 當然,銀燒結的好處并非只能由碳化硅獨享,但是半導體行業對成本極為敏感,而現在,在所有器件中都用銀燒結代替鉛基焊料可能并非一個好辦法。然而,如果我們從近期的事件中學到了一些經驗,那就是事情是在變化的,有的時候變化會很快。UnitedSiC打算在所有合理情況下采用銀燒結,我們認為,明智的做法很可能是在行業中普及。外形尺寸的不斷縮小只會增加對更小的晶粒到框架熱阻的需求,而在這方面,UnitedSiC又一次引領市場。

審核編輯 :李倩

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原文標題:【技術貼】UintedSiC銀燒結技術在碳化硅市場中獨樹一幟

文章出處:【微信號:UnitedSiC,微信公眾號:UnitedSiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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