你知道什么是MOSFET嗎？MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。

MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是常見的半導(dǎo)體器件，可以廣泛應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路當(dāng)中。一般由Source(源極)， Drain(漏極)，Gate(柵極)，Bulk(體電極)組成。MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管等材料制作，是材料及器件研究的熱點。

MOSFET有以下測試難點

1.由于MOSFET是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2.MOSFET的漏電越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進行測試。

3.MOSFET動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4.隨著MOSFET特征尺寸越來越小，自加熱效應(yīng)成為影響MOSFET可靠性的重要因素。

脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng)。所以MOSFET需要進行脈沖 IV測試，用以評估器件的自加熱特性。

5.MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。

所以MOSFET的電容測試非常重要。由于MOSFET的電容是非線性，且不同頻率下曲線不同，所以需要能進行多頻率，多電壓下的CVU進行測試。

針對這些問題，安泰儀器服務(wù)中心提供了以下的測試方案：

測試設(shè)備安泰推薦儀器:4200A-SCS

并加配:中功率SMU/高功率SMU/電容測試單元CVU/超快脈沖測試單元PMU/切換開關(guān)等

測試載臺:探針臺/測試夾具

測試設(shè)備:2600-PCT，可選配:200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流配置。

測試載臺:高功率探針臺/測試夾具

安泰儀器服務(wù)中心提供的這臺參數(shù)分析儀具有以下優(yōu)勢：

1、集成化的測試系統(tǒng)，直流測試/CV測試/脈沖IV測試集于一體，9個卡槽靈活配置測試模塊；

2、最小電流測試精度10fA，最大電壓210V;四線法配置+40V差分脈沖，最小脈寬10ns，200M采樣率，任意波形編輯功能；

3、自帶Clarius操作軟件，圖形化設(shè)計，簡單易懂；豐富的測試庫直接用，減少測試配置時間；

4、多種切換開關(guān)，支持SMU/PMU/CVU的自動切換，消除換線煩惱；

5、提供低漏電矩陣開關(guān)，為自動化，高密度，大批量測試提供支持；

6、開放設(shè)備底層指令，附帶編譯軟件，支持自編程。