電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹

近日，全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子發(fā)布截至到2022年9月30日的第三季度財(cái)報(bào)，財(cái)報(bào)顯示，第三季度三星電子營(yíng)收為76萬(wàn)億韓元（約合538億美元），同比增長(zhǎng)2.73%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為10.8萬(wàn)億韓元（約合77億美元），同比下降31.7%。三星出現(xiàn)了2019年以來(lái)的首次利潤(rùn)下降，預(yù)計(jì)第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)降幅將高達(dá)32%。業(yè)界分析，最主要的原因是存儲(chǔ)芯片行業(yè)正急劇下滑。三星電子將世界半導(dǎo)體銷(xiāo)售額第一名讓給了半導(dǎo)體代工領(lǐng)域居領(lǐng)導(dǎo)地位的臺(tái)積電。

集邦咨詢(xún)資深分析師敖國(guó)鋒對(duì)媒體表示，2022年，受到手機(jī)和筆記本電腦需求大幅衰退影響，2022年閃存需求年增長(zhǎng)率只有23個(gè)點(diǎn)左右，這是近8年來(lái)最低的一個(gè)年成長(zhǎng)比。由于庫(kù)存增加，多家存儲(chǔ)芯片制造商警告，在個(gè)人電腦、手機(jī)、需求進(jìn)一步疲軟后，數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)科技客戶(hù)的訂單正在減少。

彭博情報(bào)分析師Masahiro Wakasugi表示：“三星第三季度和第四季度來(lái)自DRAM和NAND芯片的收入可能會(huì)減少，此前美光和Kioxia報(bào)告稱(chēng)銷(xiāo)售和前景疲軟，工廠(chǎng)產(chǎn)量降低。除非智能手機(jī)和個(gè)人電腦的需求復(fù)蘇，否則三星看起來(lái)可能會(huì)在2023年減少資本支出。”在存儲(chǔ)行業(yè)處于寒冬之季，未來(lái)會(huì)有哪些需求帶動(dòng)存儲(chǔ)成長(zhǎng)？西部數(shù)據(jù)產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)張丹帶來(lái)了專(zhuān)業(yè)的分析。

云+數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)和游戲，成為驅(qū)動(dòng)未來(lái)5年存儲(chǔ)成長(zhǎng)三大引擎

西部數(shù)據(jù)產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)張丹談道，近期存儲(chǔ)市場(chǎng)下行壓力很大，存儲(chǔ)行業(yè)正在集體越冬。不過(guò)這也是周期性的調(diào)整，因?yàn)榇鎯?chǔ)行業(yè)的需求勢(shì)能——數(shù)據(jù)生成，仍呈現(xiàn)出持續(xù)增長(zhǎng)的勢(shì)頭。

她指出，存儲(chǔ)行業(yè)大跨步邁進(jìn)了ZB時(shí)代（10萬(wàn)億億比特），云/數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)、游戲三大應(yīng)用領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)NAND Flash持續(xù)在ZB時(shí)代高速增長(zhǎng)。

張丹分析說(shuō)，云與數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用是驅(qū)動(dòng)NAND Flash持續(xù)增長(zhǎng)的重要引擎。“這是一個(gè)增長(zhǎng)迅速，并且在上百G EB高速增長(zhǎng)的領(lǐng)域。未來(lái)5到10年間，這個(gè)領(lǐng)域會(huì)保持兩位數(shù)的復(fù)合增長(zhǎng)率，預(yù)計(jì)在2021年末會(huì)超過(guò)0.5億 EB的規(guī)模。多個(gè)創(chuàng)新應(yīng)用在驅(qū)動(dòng)云端應(yīng)用，包括IoT、VR/AR和XR元宇宙等。”

她以一個(gè)智慧樓宇為例，分析了存儲(chǔ)需求的變化。“這個(gè)樓宇里面有27個(gè)工作站，1萬(wàn)4千個(gè)傳感器，每天產(chǎn)生50TB數(shù)據(jù)量，數(shù)據(jù)會(huì)被用來(lái)計(jì)算、處理和存儲(chǔ)，云服務(wù)是支撐這類(lèi)場(chǎng)景的最佳方案。”

第二大驅(qū)動(dòng)力來(lái)自汽車(chē)，全球汽車(chē)相關(guān)NAND應(yīng)用，2021年汽車(chē)存儲(chǔ)市場(chǎng)超過(guò)
0.1億EB的規(guī)模，未來(lái)3到5年內(nèi)，汽車(chē)存儲(chǔ)會(huì)保持30%以上的復(fù)合增長(zhǎng)率。

中國(guó)作為全球汽車(chē)保有量最大的市場(chǎng)和新車(chē)銷(xiāo)售市場(chǎng)，汽車(chē)領(lǐng)域的數(shù)據(jù)增長(zhǎng)非常顯著。驅(qū)動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域增長(zhǎng)的一個(gè)方向，是智能化和網(wǎng)聯(lián)化的部署。此外，和自動(dòng)駕駛相關(guān)的一些細(xì)分場(chǎng)景的出現(xiàn)，也會(huì)驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)的顯著增長(zhǎng)。

張丹認(rèn)為，自動(dòng)駕駛地圖，還有與自動(dòng)駕駛相關(guān)的顯著增加的傳感器數(shù)量和精度等，都會(huì)驅(qū)動(dòng)汽車(chē)行業(yè)數(shù)據(jù)的增長(zhǎng)。比如汽車(chē)傳感器配置會(huì)在10到30個(gè)左右，智能汽車(chē)對(duì)于傳感器的數(shù)量和精度要求提高，在工作狀態(tài)下每小時(shí)可能會(huì)產(chǎn)生1.4TB到19TB不等的數(shù)據(jù)規(guī)模。未來(lái)10年，汽車(chē)存儲(chǔ)需求會(huì)顯著提升，傳感器數(shù)據(jù)在單車(chē)上會(huì)達(dá)到1TB或1.5TB存儲(chǔ)容量。

車(chē)內(nèi)娛樂(lè)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)主要是NAND FLASH應(yīng)用場(chǎng)景，隨著它的數(shù)據(jù)規(guī)模和應(yīng)用場(chǎng)景的豐富會(huì)顯著增加，我們預(yù)估它會(huì)從今天的32GB到64GB為主的數(shù)據(jù)體量，增加到未來(lái)128GB或256GB為主的配置規(guī)模，中長(zhǎng)期會(huì)增加到200GB的體量。

隨著汽車(chē)智能化、網(wǎng)聯(lián)化和合規(guī)需求的進(jìn)一步深入，車(chē)載NAND FLASH會(huì)長(zhǎng)期作為一個(gè)數(shù)據(jù)領(lǐng)域增長(zhǎng)的引擎。

第三大驅(qū)動(dòng)力是游戲領(lǐng)域。游戲領(lǐng)域也是數(shù)據(jù)增長(zhǎng)顯著的領(lǐng)域，以一款游戲《使命召喚》為例，這個(gè)游戲2003年發(fā)布，在多個(gè)平臺(tái)發(fā)布了20多個(gè)版本，以PC版本為例，這個(gè)游戲最早預(yù)裝存儲(chǔ)需求只有1.4GB，到今天它的預(yù)裝需求已達(dá)到175個(gè)GB，增長(zhǎng)了125倍。張丹指出，與游戲相關(guān)的平臺(tái)的平均容量也是保持著兩位數(shù)左右的增速。預(yù)計(jì)到2026年，與游戲相關(guān)的平臺(tái)數(shù)據(jù)容量會(huì)超過(guò)2TB。

一圖看懂NAND FlASH工藝演進(jìn)路線(xiàn)

面對(duì)數(shù)據(jù)發(fā)展的需求，NAND FLASH工藝和技術(shù)在過(guò)去和未來(lái)都將持續(xù)演進(jìn)。2017年開(kāi)始，閃存行業(yè)整體邁入3D時(shí)代，張丹指出，行業(yè)都在受益于Charge Trap（電荷捕獲技術(shù)）的發(fā)明，這個(gè)技術(shù)是未來(lái)3D NAND持續(xù)演進(jìn)的核心和引擎。


3D NAND不僅持續(xù)在堆疊的層數(shù)上提升，而且在每一代產(chǎn)品演進(jìn)過(guò)程中，保持著20%的性能提升。據(jù)悉，西部數(shù)據(jù)與合作伙伴鎧俠聯(lián)合研發(fā)出第六代162層3D閃存技術(shù)。

3D NAND的演進(jìn)不應(yīng)該是單一指標(biāo)層數(shù)，應(yīng)該是多維度的。西部數(shù)據(jù)認(rèn)為，未來(lái)可以從結(jié)構(gòu)，橫向，縱向和邏輯等維度，持續(xù)拓展NAND Flash技術(shù)。隨著層數(shù)的增加，面對(duì)的挑戰(zhàn)越來(lái)越大，業(yè)內(nèi)必須引入新材料、新工藝和新流程，才能獲得性能的提升。

最后，張丹分享了西部數(shù)據(jù)發(fā)明的OptiNAND技術(shù)，在硬盤(pán)產(chǎn)品中整合了NAND Flash，融合出一種全新的閃存增強(qiáng)型硬盤(pán)架構(gòu)，其開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、測(cè)試和驗(yàn)證等流程都是可以垂直整合的，提升了整體的創(chuàng)新效率和穩(wěn)定性。


西部數(shù)據(jù)官方介紹顯示，OptiNAND技術(shù)集成了iNAND UFS（通用閃存存儲(chǔ)）EFD（嵌入式閃存盤(pán)）與旋轉(zhuǎn)型磁碟介質(zhì)，且采用了創(chuàng)新的專(zhuān)有固件算法和更新的SoC的全新磁盤(pán)架構(gòu)設(shè)計(jì)。