完整性:檢測金屬層與硅界面在高溫或機械應力下的剝離或腐蝕。
其他失效機理:等離子損傷(天線效應),濺射工藝中電荷積累對柵氧化層的損傷;可動離子沾污,離子污染導致閾值電壓下降;層間介質完整性,低介電常數(shù)
發(fā)表于 05-07 20:34
半導體清洗SC1是一種基于氨水(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和去離子水(H?O)的化學清洗工藝,主要用于去除硅片表面的有機物、顆粒污染物及部分金屬雜質。以下是其技術原理、配方配比、工藝特點
發(fā)表于 04-28 17:22
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的潛在影響。 SPM清洗的化學特性 SPM成分:硫酸(H?SO?)與過氧化氫(H?O?)的混合液,通常比例為2:1至4:1(體積比),溫度控制在80-120℃35。 主要作用: 強氧化性:分解有機物(如光刻膠殘留)、氧化金屬污染
發(fā)表于 04-27 11:31
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法) RCA清洗是晶圓清洗的經典工藝,分為兩個核心步驟(SC-1和SC-2),通過化學溶液去除有機物、金屬污染物和顆粒124: SC-1(APM溶液) 化學配比:氫氧化銨(NH?OH,28%)、過氧化氫(H?O?,30%)與去離
發(fā)表于 04-22 09:01
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AEC-Q102標準作為汽車電子委員會制定的重要規(guī)范,為汽車級集成電路的可靠性測試提供了明確的指導。其中,硫化氫(H?S)試驗是AEC-Q102標準中極具代表性的測試項目之一,它專注于評估集成電路在
發(fā)表于 04-18 12:01
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資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導體前端工藝和后端制程的書籍,作者是美國人Michael Quirk。看完相信你對整個芯片制造流程會非常清晰地了解。從硅片制造,到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
發(fā)表于 04-15 13:52
二氧化硅是芯片制造中最基礎且關鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應用場景,解析SiO?在柵極氧化、側墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。
發(fā)表于 04-10 14:36
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在半導體制造過程中,SPM(Sulfuric Peroxide Mixture,硫酸過氧化氫混合液)清洗和HF(Hydrofluoric Acid,氫氟酸)清洗都是重要的濕法清洗步驟。但是很多人有點
發(fā)表于 04-07 09:47
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可能來源于前道工序或環(huán)境。通常采用超聲波清洗、機械刷洗等物理方法,結合化學溶液(如酸性過氧化氫溶液)進行清洗。 刻蝕后清洗 目的與方法:在晶圓經過刻蝕工藝后,表面會殘留刻蝕劑和其他雜質,需要通過清洗去除。此步驟通常
發(fā)表于 01-07 16:12
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范圍廣泛,覆蓋0.1 ppm至100 ppm,能夠滿足不同應用場景的需求。其采用了全新的半導體納米多層敏感薄膜材料技術和優(yōu)化的物理氣象沉積工藝,對硫化氫氣體具有良好的響應特性,即使在復雜多變的環(huán)境條件下,也能提供準確的測量結果。
發(fā)表于 01-02 14:21
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頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因為 Cu很容易在空氣中氧化,形成疏松的氧化銅,而且不會形成保護層防止銅進一步氧化,另外,Cu 是軟金屬,不能作綁定的金屬,所以必須利
發(fā)表于 11-25 15:50
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一應用原理當產品在大氣中使用時,大氣環(huán)境會導致產品金屬表面形成水膜,而大氣中存在的硫化氫、二氧化硫、二氧化氮、氯氣等有害氣體會溶入金屬表面的水膜中,產生腐蝕性離子加速腐蝕的發(fā)生。近年來,環(huán)境的不斷
發(fā)表于 11-18 17:56
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本文簡單介去除晶圓表面顆粒的原因及方法。
在12寸(300毫米)晶圓廠中,清洗是一個至關重要的工序。晶圓廠會購買大量的高純度濕化學品如硫酸,鹽酸,雙氧水,氨水,氫氟酸等用于清洗。
發(fā)表于 11-11 09:40
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恒溫箱作為生物學、微生物學和醫(yī)療保健等領域的關鍵工具,為細胞、組織和微生物等生物樣本的生長和培養(yǎng)提供了必要的受控條件。在這些應用中,精確監(jiān)測和調節(jié)培養(yǎng)環(huán)境中的氧水平至關重要,而氧化鋯氧傳感器
發(fā)表于 11-07 13:43
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與亞微米工藝類似,柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質量的柵氧化層,它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。
發(fā)表于 11-05 15:37
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