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碳化硅(sic)正被用于多種電力應(yīng)用

紅舊衫 ? 2022-07-28 17:05 ? 次閱讀

碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與意法半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。

汽車和工業(yè)市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復(fù)雜得多,而且隨著對 SiC 器件的需求不斷增加,制造它們的公司必須確定 SiC 晶圓的來源。

例如,羅姆和意法半導(dǎo)體最近簽署了一項多年協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,SiCrystal(羅姆集團的一部分)將向意法半導(dǎo)體提供價值超過 1.2 億美元的 150 毫米 SiC 晶圓。SiCrystal 將為意法半導(dǎo)體提供單晶碳化硅晶圓襯底(圖 1)。

為什么這個這么重要?因為 SiC 的特性特別適用于電動汽車、快速充電站、可再生能源和各種工業(yè)應(yīng)用中使用的各種功率元件和設(shè)備。

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圖 1:碳化硅晶圓(圖片:意法半導(dǎo)體)

碳化硅在能源方面具有許多優(yōu)勢,這就是為什么它與它的表親 GaN 一樣,一直是并將成為新電力電子產(chǎn)品開發(fā)的關(guān)注焦點。

它們是主要的寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料。SiC 可以承受更高的電壓,比典型的硅高 10 倍。這意味著在高壓電子應(yīng)用中使用的串聯(lián)組件更少,從而降低了復(fù)雜性和系統(tǒng)成本。

SiC(肖特基勢壘二極管 (SBD) 已經(jīng)在半導(dǎo)體行業(yè)中取代硅。GaN 可能成為特定市場的有力競爭者。采用 SBD 的逆變器顯著降低了恢復(fù)損耗,從而提高了效率。電源設(shè)計必須牢記幾個要求,包括空間和重量,這與效率一起發(fā)揮著重要作用。

SiC SBD 越來越多地應(yīng)用于開關(guān)模式電源中的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路和次級側(cè)橋式整流器。ROHM SiC SBD 產(chǎn)品組合包括 600-V 和 1,200-V 模塊,電流額定值范圍為 5 A 至 40 A。

傳統(tǒng)電力電子設(shè)備的效率沒有充分利用半導(dǎo)體的全部質(zhì)量,以熱量的形式損失了大約 15% 的效率。由于其物理特性,SiC 半導(dǎo)體材料具有滿足這些市場趨勢要求的巨大潛力。較低的損耗對應(yīng)于較低的熱量產(chǎn)生,這反映在更直接、更便宜、更小和更輕的冷卻系統(tǒng)中,因此更高的功率密度。低開關(guān)損耗允許提高開關(guān)頻率并減小組件尺寸。尺寸的減小或多或少與頻率的增加成正比。

SiCrystal GmbH 全球銷售和營銷負責(zé)人 Markus Kr?mer 表示:“基于電動汽車的應(yīng)用場景,汽車制造商對電力電子系統(tǒng)提出了各種要求。其中包括對溫度變化的抵抗力、抗振性、不同溫度下的操作可靠性以及長壽命。

“此外,集成系統(tǒng)對高功率密度的要求已經(jīng)被汽車制造商認為是不言而喻的。此外,整個系統(tǒng)成本以及產(chǎn)品設(shè)計階段的工作量都必須保持在較低水平,同時還必須保證產(chǎn)品質(zhì)量和操作安全。所有這些要點以及我們目前認識到未來幾年對 SiC 產(chǎn)品的強勁需求增長這一事實強調(diào)了我們需要為客戶提供高質(zhì)量的基板。該協(xié)議證實,從 SiC 基板到組件和模塊的成熟供應(yīng)鏈至關(guān)重要?!?/p>

隨著時間的推移,我們所知道的硅可能會逐漸被淘汰。與硅相比,SiC 顯然具有許多優(yōu)勢,但在成本和生產(chǎn)工藝方面仍需要改進。市場需要高效的設(shè)備,能夠處理高電壓和電流,并且能夠在比硅高得多的溫度下工作。新興產(chǎn)業(yè)對 SiC 和 GaN 有著強烈的需求。

從 2019 年到 2025 年,全球碳化硅市場預(yù)計將以 15.7% 的復(fù)合年增長率增長。該產(chǎn)品在電力電子設(shè)備中的使用越來越多,尤其是在電動汽車中,預(yù)計將保持更顯著的增長。

“到 2020 年 1 月,SiC 的市場規(guī)模約為 4.08 億歐元,”Kr?mer 說?!拔覀冾A(yù)計市場將進一步提振;因此,對 SiC 的擴展做出了很大貢獻。此外,我們相信 8 英寸市場將隨著 SiC 市場的增長而加速發(fā)展。”

審核編輯 黃昊宇

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