當(dāng)下,DDR5內(nèi)存還遠(yuǎn)未到要主流普及的程度。不過,DRAM內(nèi)存芯片的頭部廠商們已經(jīng)著手DDR6研制了。
日前在韓國水原舉辦的一場研討會上,三星測試與系統(tǒng)封裝副總裁Younggwan Ko表示,為適配半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品的性能的增長,封裝技術(shù)必須不斷進(jìn)步。
會上,他明確,在DDR6內(nèi)存芯片的開發(fā)中,三星將使用MSAP,也就是改良型半加成工藝(Modified semi-additive process)。
資料顯示,MSAP起初應(yīng)用于IC載板高精密線路制作,技法是首先在附有超薄底銅的基板上貼合干膜使用正片進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移,再通過圖形電鍍加成形成線路,最后去除干膜和底銅完成高精密布線,以實現(xiàn)提升PCB的高頻高速性能。
和當(dāng)前三星使用的隆起法相比,MSAP在空白部分也要鍍層。
Ko指出,DDR6的存儲容量和處理速度將大幅增加,需要更多的堆疊層數(shù),對封裝技術(shù)來說既是機(jī)遇也是挑戰(zhàn)。
另外,Ko也坦言,友商(SK海力士)已經(jīng)先于自己在DDR5顆粒上使用MSAP技術(shù)了。
事實上,雖然出貨上仍舊是DRAM龍頭老大,但三星在技術(shù)開發(fā)上的確出現(xiàn)落后,拋開上文的MSAP,1a DRAM芯片量產(chǎn)進(jìn)度也不及SK海力士和美光。
事實上,這不是三星第一次提到DDR6內(nèi)存,實際上去年底三星就公布了DDR6內(nèi)存的路線圖,相比DDR5內(nèi)存來說會進(jìn)一步提升內(nèi)存頻率、容量。
具體來說,三星之前提到DDR6會比DDR5頻率再次翻倍,達(dá)到了12.8GHz(或者12.8Gbps),超頻頻率則可以達(dá)到17GHz,是DDR5的2倍、DDR4的4倍。
不過這顯然不是極限,實際上現(xiàn)在的DDR5內(nèi)存頻率已經(jīng)沖到了12.6GHz,DDR6未來的頻率上限超過20GHz也不是沒可能。
除了頻率之外,DDR6的內(nèi)存容量也有大漲,每個內(nèi)存條內(nèi)的通道數(shù)翻倍到4通道,bank容量從16提升到64,這些都會數(shù)倍提升DDR6的內(nèi)存容量,考慮到現(xiàn)在都可以制造出單條256GB的內(nèi)存,未來單條1TB的DDR6內(nèi)存不是夢。
按照三星的計劃,DDR6預(yù)計會在2024年完成設(shè)計,不過2025年之前是不可能見到產(chǎn)品的,未來普及的話可能更遠(yuǎn),畢竟DDR5現(xiàn)在也就是剛剛商用階段。
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原文標(biāo)題:DDR6內(nèi)存曝光:單條1TB不是夢
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