NP30P03D6 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述
NP30P03D6采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供優(yōu)良的RDS(ON)，本設(shè)備適合使用
作為負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。
一般特征
?VDS = -30v, id = -30a
RDS(上)(Typ) = 8 mΩ@VGS = -10 v
RDS(上)(Typ) = 12.5Ω@VGS = -4.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
?150℃的工作溫度
?100% ui測(cè)試
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負(fù)荷開關(guān)
?不間斷電源
包
?PDFN5 * 6-8L-A
訂購(gòu)信息
絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明，TA=25℃)
電特性(除非另有說(shuō)明，TA=25℃)
熱特性
答:R qJA是用設(shè)備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測(cè)量的。銅，在靜止的空氣環(huán)境中
T = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。
B: R qJA是從結(jié)到引線R qJL和引線到環(huán)境的熱阻抗之和。
審核編輯 黃昊宇
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