全新 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存可最大限度地提高 AI、高性能計算和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用及工作負載的性能

關(guān)鍵優(yōu)勢:

·隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加,改進后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4 可將帶寬提高近一倍,進而提高效率

·JEDEC 速度提高至 4800MT/s ,比 DDR4 快 1.5 倍

·得益于高達 64GB 的模組容量,能夠支持內(nèi)存密集型工作負載

·DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進和模組內(nèi)建電源管理功能,有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運行性能

2022 年 7 月 7 日,上海— 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼: MU)今日宣布,面向商業(yè)和工業(yè)渠道合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存能夠為人工智能(AI)、高性能計算(HPC)和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供 DDR4 技術(shù)所不具備的更高 CPU 計算能力與內(nèi)存帶寬,從而最大限度地提升這些應(yīng)用的性能。

美光商用產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理 Teresa Kelley 表示:“隨著數(shù)據(jù)量持續(xù)呈指數(shù)級增長,能否將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為洞察對業(yè)務(wù)成功至關(guān)重要。數(shù)據(jù)中心運營者需要借助先進的內(nèi)存能力與處理器技術(shù)的進步來最大限度地提高平臺性能。美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM 可提供海量帶寬,助力管理最為內(nèi)存密集型的應(yīng)用。美光始終走在 DDR5 內(nèi)存技術(shù)發(fā)展前沿,引領(lǐng)業(yè)界向 DDR5 內(nèi)存技術(shù)過渡,并致力于支持數(shù)據(jù)中心客戶和渠道合作伙伴完成服務(wù)器 DDR5 DRAM 資格認證及準備工作。”

作為全球內(nèi)存行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,美光從一開始便與電子元件工業(yè)聯(lián)合會(JEDEC)聯(lián)手確立了 DDR5規(guī)范,并通過美光 DDR5 技術(shù)賦能計劃(Technology Enablement Program,TEP)——業(yè)界唯一的 DDR5 生態(tài)系統(tǒng)賦能計劃面向廣泛的市場領(lǐng)域推廣早期 DDR5 資格認證。目前,美光 DDR5 技術(shù)賦能計劃已經(jīng)吸引了來自全球 160 多家企業(yè)的 400 多位成員參與,旨在幫助合作伙伴簡化 DDR5 內(nèi)存設(shè)計并應(yīng)對集成挑戰(zhàn)。所有美光服務(wù)器 DDR5 DRAM 均針對下一代產(chǎn)品系列進行了優(yōu)化,并通過了模組和顆粒測試,以達到關(guān)鍵任務(wù)型服務(wù)器標準。

目前,采用 DDR5 內(nèi)存模塊的服務(wù)器正在數(shù)據(jù)中心環(huán)境中接受評估和測試,預(yù)計將在 2022 年下半年加快采用速度。DDR5 的初始數(shù)據(jù)傳輸速率為 4800MT/s,預(yù)計后續(xù)還將進一步提高,以更好地滿足未來數(shù)據(jù)中心工作負載的需求。客戶即刻可通過美光全球商業(yè)和工業(yè)渠道合作伙伴獲得美光 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品。

審核編輯：湯梓紅