針對2.4G頻段的無線單發芯片——SI24R2E，在開發過程中會遇到的常見問題進行匯總解答。

技術提問

Q1：雖說Si24R2E布局走線非常簡單，是否有提供建議參考，可以避免一些誤區?

動能世紀A1：有的。芯片數據手冊上有標準的參考原理圖，同時我們會提供一份《Si24R2E硬件設計指南》，避免客戶在設計過程中的一些問題，減少后期調試改板等工作。

Q2：我看到大多數Si24R2E的板子上都會加一顆100uf的鉭電容，具體作用是什么?

動能世紀A2：因為Si24R2E主要針對是低功耗有源標簽應用，一般是紐扣電池供電，加100uf鉭電容可以有效穩定供電，同時保護電池延長電池壽命。

Q3：Si24R2E SPI 輸入口必須強制10K電阻上拉，否則靜態電流異常。如果這個10K上拉電阻沒有加，會有什么影響?

動能世紀A3：靜態電流會大一些。對于芯片的燒錄以及芯片的燒錄均沒有影響，但是我們強烈建議加上這幾個10K上拉電阻，主要還是穩定性更好。

Q4：Si24R2E是如何進行芯片燒錄的?是否可以外掛MCU控制?

動能世紀A4：正常是通過我司提供的PC端芯片燒錄上位機編程器進行程序的下載，測試與量產都非常的方便。同時也支持外接MCU控制。

Q5：Si24R2E/Si24R2F/Si24R2H,三款產品有什么區別?

動能世紀A5：三款芯片均是脫胎于Si24R1，主要的區別是針對應用領域不同，所以功能有所差異。

Si24R2F兼容Si24R2E情況下新增了部分功能：

1.自動發射模式下，最多支持4個不同信道輪詢發射;

2.集成溫度監測和報警功能(開啟溫度監測，每次發射數據都會包含芯片工作環境溫度數據);

3.支持按鍵發射功能;

4.支持發射數據加密。

Si24R2H相比Si24R2E有幾個較大的區別：

1.R2H功率要高于R2E。分別是12dBm和7dBm;

2.封裝不一樣，分別是R2H QFN32和R2E QFN20;

3.R2H內置125K，R2E則沒有;

4.跳頻通道不一樣，R2H只支持4通道跳頻，R2E只支持3通道跳頻;

5.內置NVM寄存器燒寫次數不一樣，R2H可燒寫次數較少為32次，R2E為128次;

6.R2H支持數據加密功能，R2E則不支持;

7.R2H支持內部測溫，NTC測溫，外掛溫濕度傳感器。R2E則不支持。

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