NP3417BEMR 20V p通道增強模式MOSFET
描述
NP3417BEMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵極充電和操作
柵極電壓低至1.8V。這個裝置很合適
用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。
一般特征
?VDS = -20v, id = -3a
RDS(上)(Typ) = 51.8Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 72.7Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
?ESD額定電壓:2500V HBM
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負(fù)荷開關(guān)
包
?SOT-23-3L
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
熱特性
審核編輯 黃昊宇
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