NP8P016MR 16V p通道增強模式MOSFET
描述
NP8P016MR采用先進壕溝
技術提供優良的RDS(ON)，低柵
充電和工作的柵極電壓低至1.8V。
本裝置適用于作為負載開關或中壓開關
脈寬調制的應用程序。
一般特征
?VDS = -16v, id = -8a
RDS(上)(Typ) = 15米Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 19 mΩ@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產品
?表面安裝包
應用程序
?PWM程序
?負荷開關
包
?SOT-23-3L
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
熱特性
A.將設備安裝在1in2上測量RθJA的值
FR-4板與2oz。銅，在靜止的空氣環境中與
TA = 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。
B.功率損耗PD是基于TJ(MAX)=150℃，采用≤10s的結環境熱阻。
C.重復額定值，脈寬受結溫TJ(MAX)=150°C限制。額定值是基于低頻率和職責
審核編輯 黃昊宇
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