臺(tái)積電2nm芯片將采用GAAFET技術(shù)
臺(tái)積電正式公布2nm制造技術(shù)，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，而非現(xiàn)在的FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，GAAFET技術(shù)將大大降低了漏電流和降低功耗的能力。
臺(tái)積電2nm芯片性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，芯片密度增加了1.1倍以上，將應(yīng)用于各種移動(dòng)SoC、高性能CPU和GPU等領(lǐng)域。
值得一提的是，臺(tái)積電采用FinFlex技術(shù)的3nm芯片將在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)投入生產(chǎn)，而2nm芯片將在2024年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，預(yù)計(jì)將2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
綜合正字自半導(dǎo)體行業(yè)觀察、IT之家
審核編輯：湯梓紅
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