- - 30 - AEC-Q100, ISO 26262 英偉達(dá)Xavier 英偉達(dá) 12nm - - 30 - AEC-Q100, ISO 26262 高通SA8155P 高通 7nm 95K 1000 4 - AEC-Q10
發(fā)表于 05-23 15:33
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%左右開始,隨著進(jìn)入量產(chǎn)階段,良率會逐漸提高”。
星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內(nèi)存芯片和 4nm 邏輯芯片
發(fā)表于 04-18 10:52
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中,無論是臺積電還是三星都在積極布局,或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片
發(fā)表于 03-14 00:14
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據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm
發(fā)表于 03-12 16:07
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據(jù)報道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報道指出,三星電子為應(yīng)對其12nm級
發(fā)表于 01-23 15:05
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近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新設(shè)計(jì)新版1b
發(fā)表于 01-22 14:04
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應(yīng)用中取得重大的市場拓展。紫光展銳平臺認(rèn)證信息此次認(rèn)證涉及的紫光展銳T606是新一代8核LTE移動芯片平臺,基于先進(jìn)的12nm制程工藝,搭載了雙核ArmCorte
發(fā)表于 01-21 16:35
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近日,本土RISC-VAICPU公司進(jìn)迭時空宣布,其服務(wù)器CPU芯片SpacemiTVitalStoneV100研發(fā)取得突破性進(jìn)展,提供完整RISC-VCPU芯片軟硬件平臺,全面支持服務(wù)器規(guī)格
發(fā)表于 01-09 18:04
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上海富瀚微電子在CES期間發(fā)布了智能眼鏡芯片MC6350。 據(jù)悉MC6350兼具超低功耗、超小尺寸及更優(yōu)圖像效果三大優(yōu)勢,?MC6350采用12nm低功耗工藝,而且是超小芯片尺寸;8*8mm。
發(fā)表于 01-09 16:01
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新發(fā)布的小米電視 S Pro Mini LED 2025 系列采用 MediaTek MT9655 智能電視平臺,該芯片采用先進(jìn)的 12nm 制程,配合 CPU、GPU 和 NPU 規(guī)格提升,實(shí)現(xiàn)了性能飛躍。
發(fā)表于 12-23 13:28
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近日,聯(lián)發(fā)科在AI相關(guān)領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)力引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。據(jù)悉,聯(lián)發(fā)科正采用新思科技以AI驅(qū)動的電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)流程,用于2nm制程上的先進(jìn)芯片設(shè)計(jì),這一舉措標(biāo)志著聯(lián)發(fā)科正朝著2nm芯
發(fā)表于 11-11 15:52
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聯(lián)發(fā)科正式宣告,將于10月9日盛大揭幕其新一代MediaTek天璣旗艦芯片發(fā)布會,屆時將震撼推出天璣9400移動平臺。這款芯片不僅是聯(lián)發(fā)科迄今為止最為強(qiáng)大的手機(jī)處理器,更標(biāo)志著安卓陣營正式邁入3nm工藝時代,成為業(yè)界首顆采用臺積
發(fā)表于 09-24 15:15
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SoC芯片解決方案,據(jù)說該芯片的性能與高通驍龍8 Gen1相當(dāng),同時采用臺積電4nm“N4P”工藝。 爆料人士@heyitsyogesh 沒有提供該定制芯片的名稱,但他提到了小米內(nèi)部S
發(fā)表于 08-28 09:56
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近日,據(jù)韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%,僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升良率。
發(fā)表于 06-12 10:53
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今年初,聯(lián)電與英特爾宣布將攜手打造12nm FinFET制程平臺,以滿足移動設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及網(wǎng)絡(luò)市場的高速增長需求。
發(fā)表于 05-31 09:15
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