目前，推動半導體行業發展的方式主要有兩種，一個是尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大。由于硅片直徑增大涉及整條生產線設備的更換，因此目前主要發展路線是尺寸的縮小。除此之外，利用成熟特色工藝及第三代半導體材料改進半導體產品的性能也被企業大量采用，這將開辟摩爾定律的另一片新的天地。

據悉，臺積電3納米工廠已經通過環境評測，依據原定時程，全球第一座3納米工廠，可望在2020年動工，最快2022年年底量產。此外，由于三星在臺積電之前搶先公布它的3納米將采用環柵FinFET的納米片結構，兩家3納米制程戰爭一觸即發。另有消息報道，臺積電仍沿用升級版的FinFET架構，可能采用遷移率更高的材料，而非環柵納米片結構。

兩家在不同的工藝與架構問題方面各自大作文章，其中的關鍵是要找出性能瓶頸之所在，然后以最具成本效益的方式使用最佳工具來分別解決這些瓶頸。無論是I/O、內存接口還是過熱的邏輯塊，系統的運行速度都只能與該系統中最慢的組件一致。

其實，先進封裝也是解決方案之一。在某些情況下，前道工藝的每一節點的進步都可能需要一個完全不同的體系結構與之配合。它可能是更多的軟硬件協同設計，與整個設計優化為一個系統。如果有一種一致的方法來描述這些設備并將它們連接在一起，那么釆用chiplet等方法可以更節省時間。

目前至少有六種主流的芯片/小芯片組合方式，還有更多的正在進行中，不難想象每個芯片供應商會根據價格、功耗、性能甚至地區標準快速地提供定制解決方案。因此，雖然應用于高性能計算（HPC）及5G開發的芯片可能需要最新的2nm制程，但是與它配套的可能是16nm的SerDes、28nm電源模塊和40nm安全芯片等，同時它們將集成在一體。

本文整合自：賢集網、Taylor

責任編輯：符乾江