基于NP60P012D3的12V p通道增強模式MOSFET
描述
NP60P012D3采用了先進的戰壕提供優良的RDS(ON)和低柵極技術電荷。它可以用于各種各樣的應用。
一般特征
- VDS = -12v, id = -60a
RDS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 6.3Ω@VGS = -2.5 v
- 高密度電池設計超低Rdson
- 充分描述雪崩電壓和電流
- 穩定性好，均勻性好，EAS高
- 優秀的包裝，良好的散熱
- 高ESD能力的特殊工藝技術
- 100% ui測試
- 應用程序
- 汽車應用程序
- 硬開關和高頻電路
- 不間斷電源包
- PDFN3.3 8 * 3.3 l
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:1:東亞峰會測試:VDD = 8 v, RG = 25歐姆,L = 500哦
2:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns，占空比≦2%。
3:設計保證，不經生產檢驗。
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