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NP40P012D3 12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問(wèn)海棠 ? 來(lái)源:微雨問(wèn)海棠 ? 作者:微雨問(wèn)海棠 ? 2022-07-05 09:45 ? 次閱讀

描述

NP40P012D3采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極技術(shù)電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。

一般特征

?VDS = -12v, id = -40a

RDS(上)(Typ) = 6.9Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 9.3Ω@VGS = -2.5 v

?高密度電池設(shè)計(jì)超低Rdson

?充分描述雪崩電壓和電流

?穩(wěn)定性好,均勻性好,EAS高

?優(yōu)秀的包裝,良好的散熱

?高ESD能力的特殊工藝技術(shù)

?100% ui測(cè)試

應(yīng)用程序

?汽車(chē)應(yīng)用程序

?硬開(kāi)關(guān)和高頻電路

?不間斷電源

?PDFN3.3 8 * 3.3 l

pYYBAGLDl02AXIDtAABoEY5KsHA228.png

訂購(gòu)信息

pYYBAGLDl22AeXHDAAA1st9S95g512.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLDl46ACV8YAAC7Bz0_1oA294.png

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLDl6yASb__AAJpEMpymGM563.png

注:1:東亞峰會(huì)測(cè)試:VDD = 6 v, RG = 25歐姆,L = 500哦

2:脈沖測(cè)試;脈沖寬度≦300ns,占空比≦2%。

3:設(shè)計(jì)保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)。

審核編輯:符乾江

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