NP60P02D6 20V p通道增強模式MOSFET
描述
NP60P02D6采用了先進的溝槽技術
提供優良的RDS(ON)，本設備適用于
用作負載開關或PWM應用。
一般特征
?VDS = -20v id = -60a
RDS(上)(Typ) = 3.8Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 4.4Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產品
?表面安裝包
?150℃的工作溫度
?100% ui測試
應用程序
?PWM程序
?負荷開關
?不間斷電源
包
?PDFN5 * 6-8L-A
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
熱特性
答:R qJA是用設備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測量的。銅，在靜止的空氣環境中
T = 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。目前的評級是基于
t≤10s熱阻額定值。
B: R qJA是從結到引線R qJL和引線到環境的熱阻抗之和
審核編輯 黃昊宇
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