VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
發(fā)表于 06-05 08:46
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料,其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),通過(guò)在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅(SiO?)層,顯著改善了
發(fā)表于 05-30 11:09
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01呼氣末二氧化碳呼氣末二氧化碳(ETCO2)是指呼氣終末期呼出的混合肺泡氣體中含有的二氧化碳?jí)海≒ETCO2)或二氧化碳濃度(CETCO2),已經(jīng)被認(rèn)為是除體溫、脈搏、呼吸、血壓、動(dòng)
發(fā)表于 05-19 13:20
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室內(nèi)CO2濃度高通常是人類(lèi)存在的結(jié)果。我們的身體吸入氧氣并排放二氧化碳,如果環(huán)境通風(fēng)不暢,二氧化碳會(huì)在室內(nèi)積聚。而且,現(xiàn)代建筑密集的隔熱層間接導(dǎo)致二氧化碳的增加。例如,減少消耗和加熱或冷卻成本的密集
發(fā)表于 05-19 13:19
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二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見(jiàn)沉積方法與應(yīng)用場(chǎng)景,解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。
發(fā)表于 04-10 14:36
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。從沙子到芯片,需歷經(jīng)數(shù)百道工序。下面,讓我們深入了解芯片的制造流程。 一、從沙子到硅片(原材料階段) 沙子由氧和硅組成,主要成分是二氧化硅。芯片
發(fā)表于 04-07 16:41
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在數(shù)百米深的地層之下,煤炭開(kāi)采的轟鳴與礦工們的汗水交織成獨(dú)特的工業(yè)交響曲。而在這幽暗的巷道中,一種看不見(jiàn)的氣體——二氧化碳,正悄然威脅著礦工們的生命安全。據(jù)統(tǒng)計(jì),我國(guó)煤礦每年因有害氣體導(dǎo)致的安全事故
發(fā)表于 03-24 18:22
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VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
發(fā)表于 02-05 09:35
模擬的關(guān)鍵部件是來(lái)自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)(160 nm至500 nm寬度變化超過(guò)100 um長(zhǎng)度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波導(dǎo)中(注意:使用的尺寸減小了(1.5 umx1.5
發(fā)表于 01-08 08:51
隨著科技的進(jìn)步,人們對(duì)于生活以及身體健康關(guān)注越來(lái)越高。CO2(二氧化碳)是地球大氣的重要組成部分,與人類(lèi)生活息息相關(guān)。關(guān)注CO2(二氧化碳)氣體,監(jiān)測(cè)CO2(二氧化碳)氣體至關(guān)重要。CO2(二
發(fā)表于 01-07 17:01
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模擬的關(guān)鍵部件是來(lái)自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)(160 nm至500 nm寬度變化超過(guò)100 um長(zhǎng)度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波導(dǎo)中(注意:使用的尺寸減小了(1.5 umx1.5
發(fā)表于 12-11 11:27
存在,且金屬元素含量高、種類(lèi)多,具有較高的研究?jī)r(jià)值。除了需要對(duì)有色金屬礦石中的多種元素進(jìn)行研究外,作為組成礦石主要成分的二氧化硅含量的高低不僅決定著礦石的共生組合,也是影響礦石價(jià)格的主要參考指標(biāo)之一,因此,研究有色金屬礦中二氧化硅的測(cè)定方法對(duì)礦產(chǎn)勘查有著重要影響及指導(dǎo)意義
發(fā)表于 10-30 13:12
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具體實(shí)現(xiàn)功能由51單片機(jī)+二氧化碳傳感器+LCD1602液晶顯示屏+按鍵+蜂鳴器+指示燈+繼電器+風(fēng)扇+電源構(gòu)成。具體功能:(1)二氧化碳傳感器測(cè)得二氧化碳數(shù)據(jù)后經(jīng)過(guò)單片機(jī)處理,由LCD1602實(shí)時(shí)
發(fā)表于 10-22 14:13
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二氧化硅薄膜實(shí)現(xiàn)增透的原因主要涉及以下幾個(gè)方面: 1. 折射率匹配 折射率特性 :二氧化硅(SiO?)的折射率相對(duì)較低,這使得它能夠作為一層有效的增透膜(或稱(chēng)為減反射膜)。當(dāng)光線從一種介質(zhì)進(jìn)入另一種
發(fā)表于 09-27 10:22
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1. 引言 鍍膜技術(shù)是一種在基材表面形成薄膜的技術(shù),廣泛應(yīng)用于光學(xué)、電子、機(jī)械、建筑等領(lǐng)域。二氧化硅作為一種常見(jiàn)的無(wú)機(jī)材料,因其良好的光學(xué)性能、化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度,在鍍膜技術(shù)中得到了廣泛應(yīng)用
發(fā)表于 09-27 10:10
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評(píng)論