領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，在PCIM Europe展會發布全球首款To-Leadless(TOLL)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。

TOLL封裝的尺寸僅為9.90 mm x 11.68 mm，比D2PAK封裝的PCB面積節省30%。而且，它的外形只有2.30 mm，比D2PAK封裝的體積小60%。

除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7引腳更好的熱性能和更低的封裝電感(2 nH)。 其開爾文源極(Kelvin source)配置可確保更低的門極噪聲和開關損耗——包括與沒有Kelvin配置的器件相比，導通損耗(EON)減少60%，確保在具有挑戰性的電源設計中能顯著提高能效和功率密度，以及改善電磁干擾(EMI)和更容易進行PCB設計。

安森美先進電源分部高級副總裁兼總經理Asif Jakwani說：

能在小空間內提供高度可靠的電源設計正成為許多領域的競爭優勢，包括工業、高性能電源和服務器應用。將我們同類最佳的SiC MOSFET封裝在TOLL封裝中，不僅減小空間，還在諸多方面增強性能，如EMI和降低損耗等，為市場提供高度可靠和堅固的高性能開關器件，將幫助電源設計人員解決對其嚴格的電源設計挑戰。

SiC器件比硅前輩具有明顯的優勢，包括增強高頻能效、更低的EMI、能在更高溫度下工作和更可靠。安森美是唯一具有垂直集成能力的SiC方案供應商，包括SiC晶球生長、襯底、外延、晶圓制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝解決方案。

NTBL045N065SC1是首款采用TOLL封裝的SiC MOSFET，適用于要求嚴苛的應用，包括開關電源(SMPS)、服務器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和儲能。該器件適用于需要滿足最具挑戰性的能效標準的設計，包括ErP和80 PLUS Titanium能效標準。

NTBL045N065SC1的VDSS額定值為650 V，典型RDS(on)僅為33 mΩ，最大電耗(ID)為73 A。基于寬禁帶(WBG)SiC技術，該器件的最高工作溫度為175°C，并擁有超低門極電荷(QG(tot) = 105 nC)，能顯著降低開關損耗。此外，該TOLL封裝是保證濕度敏感度等級1 (MSL1)，以確保減少批量生產中的故障率。

此外，安森美還提供車規級器件，包括TO-247 3引腳、4引腳和D2PAK 7引腳封裝。

原文標題：新品發布 | 全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET

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審核編輯：湯梓紅